透射电镜(TEM)原理导论.pptVIP

堆垛层错的衬度 层错是晶体中最简单的平面型缺陷，是晶体内局部区域原子面的堆垛顺序发生了差错，即层错面两侧的晶体发生了相对位移R。 层错总是发生在密排的晶体学平面上，典型的如面心立方晶体的{111}平面上，层错面两侧分别是位向相同的两块理想晶体。 对于面心立方晶体的{111}层错，R可以是±1/3〈111〉或者± 1/6〈112〉，它们分别代表着层错生成的两种机制。 堆垛层错的衬度 在衍衬成像条件下，层错区域内的晶体柱被层错面分割成两部分，下部晶体相对于上部晶体存在整体的位移R。下部晶体的附加位相角可以通过α=2πg·R计算，如果把R ±1/3〈111〉或者± 1/6〈112〉代入，可得 或者 考虑到面心立方晶体的操作反射g为hkl全奇或全偶，则α只有0、和±2π/3三种可能的值。 显然: 当α=0时，层错将不显示衬度，即不可见； 而当α= ±2π/3时，将在图像中观察到它们的衬度 堆垛层错的衬度 尽管也有层错面正好与薄膜的上、下表面平行的特殊情况，此时如果附加位相角α≠0，层错所在的区域会有不同于无层错区域的亮度； 更经常遇到倾斜于薄膜表面的层错，在α≠0的条件下，表现为平行于层错面与薄膜上、下表面交线的亮暗相间条纹，其衬度机理可简单说明如下: 柱体OA被层错面分割为上、下两部分，OS=t1和SA=t2（薄膜总厚度t =t1+ t2）