[第三章集成门电路与触发器习题解答.pptVIP

* 3.1 根据所采用的半导体器件不同，集成电路可分为哪两大类？各自的主要优缺点是什么 ? 答: 根据所采用的半导体器件不同，集成电路可分为双极型（如TTL）和单极型（如CMOS）两大类。 双极型集成电路的主要特点是速度快、负载能力强，但功耗较大、集成度较低；双极型集成电路的主要特点是结构简单、制造方便、集成度高、功耗低、但速度较慢。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.2 简述晶体二极管的静态特性？ 答：晶体二极管的静态特性是指二极管在导通和截止两种稳定状态下的特性。当正向电压 小于门槛电压 时，管子处于截止状态；当 时，管子处于正向导通状态；二极管在反向电压 作用下处于截止状态，当 （反向击穿电压）时，管子被击穿。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.3 晶体二极管的开关速度主要取决于什么？ 答: 二极管从正向导通到反向截止有一个反向恢复过程，实质上是由于电荷存储效应所引起的，反向恢复时间 （ 称为存储时间， 称为渡越时间）就是存储电荷消失所需要的时间。从反向截止到正向导通所需的时间（称为开通时间）与 相比很短，一般可以忽略不计。因此，晶体二极管的开关速度主要取决于 。 3.4 数字电路中，晶体三极管一般工作在什么状态？ 答: 数字电路中，晶体三极管一般工作在开关（饱和、截止）状态。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.5 晶体三极管的开关速度取决于哪些因数？为什么MOS管的开关速度比晶体三极管慢 ? 答:晶体三极管饱和与截止两种状态的相互转换需要一定时间，开通时间 （ 称为延迟时间， 称为上升时间）就是建立基区电荷的时间；关闭时间 （ 称为存储时间， 称为下降时间）就是存储电荷消散的时间。 和 的大小反映了三极管由截止到饱和与从饱和到截止的开关速度，它们是影响电路工作速度的主要因数。 MOS管内部电荷“建立”和“消散”的时间很短，其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间。由于MOS管导通时的漏源电阻 比晶体三极管的饱和电阻 要大得多，漏极外接电阻 也比晶体管集电极电阻 大，所以，MOS管的充、放电时间较长，使MOS管的开关速度比晶体管的开关速度低。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.6 TTL与非门有哪些主要性能参数？ 答：TTL与非门的主要外部特性参数有输出逻辑电平（ ， ）、开门电平（ ）、关门电平（ ）、扇入系数（ ）、扇出系数（ ）、平均传输时延（ ）和空载功耗（ ）等。 P Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.7 OC门和TS门的结构与一般TTL与非门有何不同？各有何主要应用？ 答: OC门把一般TTL与非门电路的推拉式输出级改为三极管集电极开路输出。TS门是在一般TTL与非门的基础上，附加使能控制端和控制电路构成。 OC门可实现电平转换和直接驱动发光二极管、干簧继电器等，多个OC门的输出端可以直接连接实现线与。TS门主要用于总线传送。多个TS门的输出端可以直接连接，分时传送数据。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3.8 有两个相同型号的TTL与非门，对它们进行测试的结果如下： （1）甲的开门电