《模拟电子技术课件-江修波》1.1 半导体基础知识.pptVIP

第一章 常用半导体器件 §1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 双极型晶体管 §1.4 场效应管 §1.5 单结晶体管和晶闸管 §1.6 集成电路中的元件 电气学院学习部资料库 1.熟悉P型、N型半导体的基本结构及特性 ； 2.掌握PN结的单向导电性 。 1. P型、N型半导体的形成和电结构特点； 2. PN结的正向和反向导电特性 。 §1.1 半导体基础知识 学习目标： 学习重点： 电气学院学习部资料库 §1.1 半导体基础知识一、本征半导体 1、半导体 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 根据材料的导电能力，可以将他们划分为导体、绝缘体和半导体。典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 硅原子 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 电气学院学习部资料库 空穴 自由电子 2、本征半导体的晶体结构 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 （1）共价键：相邻两个原子共用一对最外层电子（价电子）的组合称为共价键。 （2）束缚电子：共价键中的价电子受共价键的束缚。 （3）自由电子：共价键中的电子获得一定能量（热能）后，挣脱共价键的束缚（本征激发），形成自由电子。 （4）空穴：电子挣脱共价键的束缚形成自由电子后，共价键中留下一个空位，称为空穴。空穴带正电。 共价键 束缚 电子 电气学院学习部资料库 3、本征半导体中的两种载流子 4、本征半导体中载流子的浓度 电子 载流子 空穴 本征半导体中的电流 电子电流 空穴电流 本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象称为本征激发。 复合：自由电子填补空穴，使两者消失的现象称为复合。 动态平衡：在一定温度下，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。 电气学院学习部资料库 本征半导体载流子浓度为： 常温下，本征半导体中载流子的浓度比较低，导电能力差。Si：1.43×1010cm-3 Ge：2.38×1013cm-3 其中：T：热力学温度； K：玻耳兹曼常数（8.63×10-5eV/K）； K1：与半导体材料载流子有效质量、有效能级密度有关的常量。（Si：3.87×10-6cm-3·K-3/2 ， Ge：1.76×1016cm-3·K-3/2 ）； EGO：热力学零度时破坏共价键所需的能量，又称禁带宽度 （Si：1.21eV，Ge：0.785eV）； 电气学院学习部资料库 自由电子 施主离子 电子空穴对 没有形成空穴 自由电子 二、杂质半导体 1、N型半导体 掺入微量杂质，可使半导体导电性能大大增强。按掺入杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体。 在本征半导体中掺入微量五价元素。 + + + + + + + + + + + + N型半导体 硅原子 多余电子 磷原子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 多数载流子---自由电子 少数载流子--空穴 电气学院学习部资料库 受主离子 电子空穴对 空穴 2、P型半导体 在本征半导体中掺入微量三价元素。 － － － － － － － － － － － － P型半导体 硅原子 空位 硼原子 多数载流子--空穴 少数载流子—自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 空穴 没有形成自由电子 电气学院学习部资料库 三、PN结 1、PN结的形成 形成过程： P型和N型半导体结合 扩散运动 内电场建立 阻碍扩散运动 促使漂移运动 动态平衡 形成空间电荷区 PN结形成 多子浓度差 空间电荷区 耗尽层 N区 P区 内电场 － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + 自由电子 空穴 电气学院学习部资料库 2、PN结的单向导电性 （1）PN结上加正向电压 空间电荷区 N区 P区 － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + 内电场 外电场 ①外电场将载流子推入空间电荷区，抵消一部分空间电荷，使空间电荷区变窄，削弱内电场； ②扩散运动增强，漂移运动减弱，平衡被打破，扩散运动大于漂移运动； ③在电源的作用下，扩散运动不断进行，形成正向电流，PN结处于导通状态。 IF 电气学院学习部资料库 （2）PN结上加反向电压 空间电荷区 N区 P区 － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + 内电场 外电场