模电期末复习技术报告.doc

半导体基本知识和 半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放） 一、选择题： 1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（ C P14 ）。 A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定 2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（ B P15）。 A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定 3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（ B P15 ） A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大 C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小 4、PN结反向向偏置时，其内电场被（ B P15 ）。 A.削弱 B.增强 C.不变 D.不确定 5、在绝对零度（0K），。 A.B.没有 C.少数 D.多数 6、 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（ A P186 ）。 A．减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 D. 减小输出电阻 7、以下所列器件中，（ B P25 ）器件不是工作在反偏状态的。 A、光电二极管 B、发光二极管 C、变容二极管 D、稳压管 8、当晶体管工作在放大区时，（ B ）。 A. 发射结和集电结均反偏 B.发射结正偏，集电结反偏 C. 发射结和集电结均正偏 D.发射结反偏，集电结正偏 9、稳压二极管稳压时，其工作在( B )， A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D.不确定 10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（ A P155 ）电路。 A.差放 B.正弦 C.数字 D.功率放大 11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ A P29 ）。（C集电极最大 ） A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（D ）。 A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管 C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管 13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（C P186 ）。 A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 14、如右图所示复合管，已知V1的(1 = 30，V2的(2 = 50，则复合后的(约为（ A ）。 A．1500 B.80 C.50 D.30 15、发光二极管发光时，工作在( A P25 )。 A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D．不确定 16、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ A ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 等于零 17、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ A P43 ） 。 A. 非饱和区 B. 饱和区 C. 截止区 D. 击穿区 18、稳压二极管稳压时，其工作在( B )。 A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D.饱和区 19、集成运放电路采用直接耦合方式是因为 （ C P186 ） A. 可获得较高增益 B. 可使温漂变小 C. 在集成工艺中难于制造大电容 D. 可以增大输入电阻 20、测得BJT各电极对地电压为：VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，则该BJT工作在（ A ）状态。 A.截止 B.饱和 C.放大 D. 无法确定 21、FET是（ C ）控制器件。 A. 电流 B.电压 C.电场 D.磁场 22、通常要求运算放大器带负载能力强，在这里，负载的大小是指负载（ B ）。 A.电阻大 B. 功率大 C. 电压高 D.功率小 23、二极管的电流方程是（ C ）。 A． B. C. D. 24、FET是（ B ）控制器件。 A. 电流 B.电压 C.电场 D.磁场 25、三极管工作在饱和状态的条件是（