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真空管膜层基础知识 太阳能真空管镀膜--膜层（一） 基础知识 热辐射基本概念 热量传递的基本方式：导热，对流和辐射。 辐射是以物体通过电磁波传递能量的一种方式。 电磁波的波长从零到无穷大，传播速度真空中约为3X108m/s。 当辐射能量投射到物体表面时，会发生吸收，反射和透射。 三者遵循以下规律：α α+ρ+τ=1当物体的吸收比α=1时，该物体称为绝对黑体或黑体；当物体反射比ρ=1时该物体称为镜体；而反射比是漫反射比 时，该物体称为绝对白体；当物体透射比τ=1时，称为绝对透明体或透明体。 黑体辐射的基本定律： 光谱辐射岀射度随波长连续变化，先增大后减小，每条曲线只有一个最大值；曲线随黑体温度的升高而整体提高，曲线互不相交，最大值随温度的升高而向短波移动。最大光谱岀射度的波长与温度的关系： =2897.8um·K 实际物体发射率的一般变化规律： 1）：对于黑体，发射率E=1,光谱发射率，法向发射率，方向发射率彼此相等。 2）：实际物体的方向发射率或法向发射率有一定变化，但对半球发射率无显著影响。 3）：金属材料的表面发射率一般都比较低，但随着温度升高都要增大，金属表面形成氧化层后，会成倍增大。 4）：非金属材料的表面发射率是较高的一般都在0.80以上，或者更高。 5）：发射率值的大小取决于物质的表面状态，涂层的发射率是涂层本身的特性，不是涂层基材的特性，但有例外，如：太阳能利用中的光谱选择性涂层Al-AlN/Al,SS-C/Cu膜层的发射率的高低在很大程度上取决于底层Al和Cu. 基尔霍夫定律：物体处于热平衡时，任何物体对黑体投射辐射的吸收比等于同温度下该物体的发射率。对于灰体不论投射辐射是否来自黑体，也不论是否处于热平衡状态，其吸收比等于同温度下的发射率。太阳光谱选择性吸收膜系光学基础 消光系数（k)描述电磁波在介质中传播时的衰减程度，是介质吸收电磁波能量的度量。n表示折射率，其中（nx）称为光程，也叫光学距离或光学厚度。在薄膜光学中，膜厚常以光学厚度来表示。n,k通称为介质的光学常数。 薄膜的干涉效应：两列或两列以上的光波，在满足一定条件下相遇时，重叠的区域内光强分布不均匀，有的地方加强，有的地方减弱，这种现象称为光的干涉。 光的干涉必须满足的条件： 1）：两列波的振动频率必须相同； 2）：两列波在相遇点的振动方向相同； 3）：两列波在相遇区域内必须有固定的相位差。 当介质的光学厚度是1/2波长的整数倍时，发生相长干涉；当介质的光学厚度是1/4波长的奇数倍时，产生相消干涉。 太阳光谱选择性吸收表面原理 适合作为选择性吸收表面的材料主要分为三大类： 1）：在太阳可见光和近红外波长范围内有高的吸收，红外范围是透明的； 2）：在太阳可见光和近红外波长范围内有高的吸收，红外范围有高的反射； 3）：在太阳可见光和近红外波长范围内是透明的，红外范围有高的反射。 选择性吸收材料可以是：1、本证吸收材料；2、微观上不平整的表面；3、微颗粒组成的材料；4、电介质-金属复合材料等。 一个表面对波长在0.30——2.5um范围内高吸收，对波长在5——50um范围内低吸收（即低发射），这就是选择性吸收表面。 反射比发生突变处的波长叫截止波长（λc)。要得到性能优良的吸收表面，正确确定截止波长是十分重要的。 随λc的加长，表面的吸收比由快速增加到缓慢上升，直至表面吸收不再上升；发射率有缓慢上升（甚至不升高）到快速升高。 相同的λc,表面温度高发射率也高。 太阳光谱选择性吸收表面材料能带理论基础 在晶体中，原来孤立的原子的能级分裂成了能带。能带是描述晶体中能量状态的物理量。 价带：价电子对应的能级； 导带：没有被电子填充满的能带； 空带：没有被电子填充的能带； 禁带：价带顶至导带低的能带 导体：价带与导带重叠，之间无禁带，电子容易运动，电阻率低； 半导体：价带与导带间有一个禁带，不同的半导体材料，他们的禁带空带宽度不同； 绝缘体：绝缘体的禁带比半导体宽得多。 半导体的能带结构决定了它具有某些特殊性能，其中具有光吸收特性，主要光吸收过程是本征吸收、激子吸收、自由载流子吸收、杂质吸收和晶格吸收。 半导体的本证吸收是价电子吸收光子能量后，从价带跃迁到导带所形成的吸收过程。产生的条件是：光子能量不小于半导体的禁带宽度。 hv≥Eg 截止波长（λc)又叫吸收限为：Lc=1.24/Eg(eV)其中Eg为禁带宽度单位“电子伏特”（eV)。 折射率n与禁带宽度Eg的经验公式：（n4)Eg=77 反射率R=[(1-n）/(1+n)][(1-n)/(1+n)] 当杂质（除半导体之外的任何材料）掺入到纯半导体晶体中