量子物理基础答案.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * 例如半导体 Cd S： 满 带 空 带 h? ?Eg=2.42eV 满带上的一个电子跃迁到空带后， 满带中出现一个带正电的空位，称为 “空穴”。 电子和空穴总是 成对出现的。 电子和空穴叫本征载流子，它们形成半导 体的本征导电性。 当光照 h? ΔEg 时， 可 发 生本征吸收，形成本征光电导。 2. 两种导电机构 （1）电子导电 — 半导体的主要载流子是电子 解 【例】要使半导体 Cd S产生本征光电导，求激发电子的光波的波长最大多长？ 在外电场作用下，电子可以跃迁到空穴上来，这相当于 空穴反向跃迁。 空穴跃迁也形成电流， 这称为空穴导电。 空带 满带 ?Eg （2） 空穴导电 — 半导体的主要载流子是空穴 当外电场足够强时，共有化电子还是能越 【思考】为什么导体的电阻随温度升高而升高，而半导体的电阻却随温度升高而降低？ 半导体 导体 击穿 过禁带跃迁到上面的空带中，使半导体击穿。 二. 杂质（impurity）半导体 1. n型半导体 又称 n 型半导体。 量子力学表明，这种掺杂后多余的电子的能级在禁带中紧靠空带处， ?ED～10-2eV，极易形成电子导电。 本征半导体 Si、Ge等的四个价电子，与另四 个原子形成共价结合， 当掺入少量五价的杂质 元素（如P、As等）时， 就形成了电子型半导体， n 型半导体 空 带 满 带 施主能级 ED Eg Si Si Si Si Si Si Si P 这种靠近空带的附加能级称为施主（donor） 能级。 如下图示： 则 P 原子浓度～1018 cm?3 np=1 .5×1010 cm? 3 + 1018 = 1018 cm?3 室温下： 本征激发 杂质激发 导带中电子浓度 nn = 1.5×1010 满带中空穴浓度 设 Si中P的含量为10?4 电子是多数载流子， 空穴是少数载流子。 在n型半导体中： 电子浓度nn ～ 施主杂质浓度nd Si 原子浓度～1022 cm?3 2. p型半导体 四价的本征半导体Si、Ｇe等掺入少量三价的杂质元素（如Ｂ、Ga、In等）时，就形成空穴型半导体，又称 p 型半导体。 量子力学表明，这种掺杂后多余的空穴能级在禁带中紧靠满带处，? EA 10 -1eV，极易产生空穴导电。 空 带 EA 满 带 受主能级 P型半导体 Si Si Si Si Si Si Si + B Eg 这种靠近满带的附加能级称为受主（acceptor） 能级。 如下图示： 则B 原子浓度～1018 cm? 3 np= 1.5×1010 室温下： 本征激发 杂质激发 导带中电子浓度 nn=1.5×1010cm? 3 满带中空穴浓度 设 Si中B的含量为10－4 + 1018 = 1018 cm? 3 空穴是多数载流子， 电子是少数载流子。 空穴浓度np ～ 受主杂质浓度na 在p型半导体中： Si 原子浓度～1022 cm? 3 3. n型化合物半导体 例如，化合物GaAs中掺Te，六价的Te替代五价的As可形成施主能级，成为n型GaAs杂质半导体。 4. p型化合物半导体 例如，化合物 GaAs中掺Zn，二价的Zn替代三价的Ga可形成受主能级，成为p型GaAs杂质半导体。 三. 杂质的补偿作用 实际的半导体中既有施主杂质（浓度nd），又有受主杂质（浓度na），两种杂质有补偿作用： 若nd ? na——为n型（施主） 若nd ? na——为p型（受主） 利用杂质的补偿作用，可以制成 p-n 结。 p -n 结 一. p - n 结的形成 在 n 型半导体基片的一侧掺入较高浓度的 面附近产生了一个内建 阻止电子和空穴进一步扩散。 电子和空穴的扩散， 在p型和n型半导体交界 p型半导体(补偿作用)。 受主杂质， （电）场 该区就成为 n型 p型 内建场大到一定 程度，不再有净电 荷的流动，达到了 新的平衡。 在p型和 n型交界面附近形成的这种特殊结构称为p-n结（阻挡层，耗尽层），其厚度约为0.1?m。 p-n结 p型 n型 U0 电势 电子电势能 p-n结 n p 由于p-n结的存在，电子的能量应考虑进势 这使电子能带出现弯曲： 空带 空带 p-n结 施主能级 受主能级 满带 满带 垒带来的附加势能。 二 . p - n结的单向导电性 1. 正向偏压 p-n结的p型区接电源正极，叫正向偏压。 向p区运动， 阻挡层势垒降低、变窄， 有利于空穴向n区运动， 也有利于电子 和 反向， 这些都形成正向电流（mＡ级）。 p型 n型 I + ?