2015第6次课第四章异质结的伏安特性解析.pptVIP

Principle of Operation Lower emitter doping Reduced bandgap narrowing Reduction in minority carrier concentration in the emitter Improvement in current gain Reduced CBE Emitter-base space-charge region broadens on emitter side of the junction Reduction in emitter doping levels reduces what? Why? 4.3 超注入现象 加正向电压时, n区导带底上升,结势垒可被拉平. 由于导带阶的存在, n区导带底甚至高于 p区导带底, 准费米能级可达到一致. p区导带底较n区导带底低,距EFn更近.故p区导带的电子浓度高于n区. 应用注入到窄带区的少数载流子浓度达到1018 cm-3以上,实现粒子数反转. 加了较大正向偏置电压之后，N-AlxGa1-xAs/p-GaAs中，位于N区的导带上的电子的能量比p区的导带底的能量还高，在外加电压的作用下，电子注入到p区的导带中，至使p区的电子比N区的电子还多(常规情况下是N区的电子多，p区的空穴多)。在p-N结p区一侧载流子堆积得很多，即注入到p区的少子（电子）的浓度比N区的多子（电子）的浓度还多，以至于达到简并化的程度，这就是超注入现象，它也是光电子器件的重要物理基础之一。 Fundamental physical phenomena in classical heterostructures (a) (b) (c) One-side Injection Propozal — 1948 (W. Shokley) Experiment — 1965 (Zh. Alferov et al.) Superinjection Theory — 1966 (Zh. Alferov et al.) Experiment — 1968 (Zh. Alferov et al.) Diffusion in built-in quasielectric field Theory — 1956 (H. Kroemer) Experiment — 1967 (Zh. Alferov et al.) 问题？ 热电子发射模型和扩散模型的区别？ b 指数和那些因素有关。 什么是钉扎效应。 伏安特性的微商研究法 4.4 有界面态的异质结的伏安特性 4.4.1热电子发射和多阶隧道的并联模型 ４.4.2 隧穿复合模型 4.4.3界面能级的电离对伏安特性的影响 4.4.4 完全经由界面态的复合电流 (1) 发射复合模型 (2)反向串联schottky 二极管模型 (3) 界面复合和隧道复合串联 4.4.5 表面复合对伏安特性的影响 4.5 伏安特性的微商研究 4.4 有界面态的异质结的伏安特性 无界面态： 热电子发射 扩散 隧穿 有界面态： 经由界面态 复合 4.4.1热电子发射和多阶隧道的并联模型 GaAs/AlAs：晶格失配：0.16% Nt I2 I1 Eb P-GaAs N-AlGAAs I1 I2 I 并联 小电压下越过势垒的qVD的电子数目很少，热电子发射电流很小，总电流将由隧道电流决定，当电压增大时，热电子发射电流迅速增加并超过隧道电流，因此总电流由热电子发射电流决定。 常数A的数值对不同的异质结差别很大，说明界面能级的数目与生长工艺有关。转折点的电流定性的反映出界面能级的数量 ４.4.2 隧穿复合模型 1电压小时，电流由复合，扩散决定。 2电压大时，电流由隧穿决定。 串联过程 速率限制过程 在 较低偏压下复合是 速率限制因素曲线斜率随温度 增加而 减小 。 较大偏压下结电流的大小 主要 受隧穿的 限制。 隧道 复合 4.4.3界面能级的电离对伏安特性的影响 The zero-bias charge Qo in these states fixes the energy-band relationship of Fig. 1 (a). n p 当Ds等于0时 界面态大到一定值，出现钉扎。 A sample calculation will clarify this treatment. We consider an n-p: Ge-GaAs heterojunction with Na=Nd= 1016 cm-3, Ega =0.7 eV, Egb = 1.4eV, ea= 16e0, eb = 11.5e0, Ev = 0.6 eV 当Ds不等于0时 P型半导体-金属