第3章 热氧化.pptVIP

SiO2薄膜厚度越小击穿强度越低， SiOxNy 薄膜的击穿强度远高于SiO2薄膜。 厚度对击穿的影响 厚度对漏电的影响 SiO2厚度每降低0.5nm，电流密度大约上升2个数量级。 C-V测量 样品：以待测SiO2薄膜为介质的MIS电容。电容 的下电极为衬底硅，电容的上电极一般用 浆状InGa。 测试：在专用C-V测试仪上完成。 种类：高频C-V 和 低频C-V，加温测量。 应用：检测栅氧化层质量（界面态、固定电荷） 检测氧化系统的沾污（可动电荷） C-V测试原理 对MIS电容，极板面积A的尺寸远大于氧化层厚度tox时，电容： 加负偏压，电荷存储； 加低频交流信号，测出初始C-V曲线； 3.加高频交流信号，测固定电荷密度及界面态密度； 4.温偏测量确定可动电荷密度。 ~ V- V+ P-Si metal SiO2 高频C-V测固定电荷和界面态密度 固定电荷使平带电压的漂移 温偏应力测量的可动电荷密度 可动电荷密度引起的电压漂移 System 82-WIN 同步C-V测量系统 3.6 掺杂杂质对氧化过程的影响 在热氧化过程中，硅衬底中的杂质分布会发生改变，这称为 衬底杂质的再分布。引起衬底杂质再分布的原因有 1、杂质在 Si、SiO2 中平衡浓度不同 2、杂质在 Si、SiO2 中扩散速度不同 3、氧化速度与氧化层厚度 热氧化时杂质在 SiO2/Si 界面再分布的 4 种情况 (a)氧化层中慢扩散（硼）； (b)氧化层中快扩散（硼， H2 气氛下）； (c)氧化层中慢扩散（磷）；(d)氧化层中快扩散（镓） 热氧化过程中硅中杂质再分布的规律 1、硅中掺硼 (1) 温度一定时，水汽氧化（湿氧氧化）导致杂质再分布 程度增大，其 NS/NB 小于干氧氧化； (2) 相同氧化气氛下，氧化温度越高，硼向硅表面扩散速度加快，补偿了杂质的损耗，NS/NB 趋于 1 。 2、硅中掺磷 (1) 温度一定时，水汽氧化（湿氧氧化）导致杂质再分布程度增大，其 NS/NB 大于干氧氧化； (2) 相同氧化气氛下，氧化温度越高，磷向硅内扩散的速度越快，表面堆积现象减小，NS/NB 趋于 1 。 3.7 氧化诱生堆垛层错 产生原因： 热氧化有一种副效应，即释放出高密度的自填隙硅原子。这些过剩的填隙原子构成了点缺陷，并延伸成氧化诱生堆垛层错（OSF）。OSF 是一种二维缺陷 ，是插入到晶格中有限范围的额外原子面，并终止于位错，通常存在于（111）面。当原来存在如离子注入引起的缺陷时，很容易诱生出 OSF。 对器件的影响： 使TTL器件的发射极掺杂产生快扩散通道，跨过基区造成漏电。对MOS器件，会吸附重金属杂质，使杂质留在源/漏结的耗尽区，成为载流子复合中心，造成过度漏电。 堆垛层错位于（111）面中，对（100）Si片，堆垛层错沿110方向与表面相交。 高温和低温氧化都不利于形成堆垛层错。 降低氧化温度，采用高压氧化，在氧气中加入少量 HCl 等措施，可以抑制氧化诱生堆垛层错的产生。 3.8 栅绝缘层的替代物 MOSFET 的栅氧化层厚度一直在不断减薄，但是进一步的减薄将受到下面几个因素的限制。 首先，当栅氧化层非常薄时，栅极与沟道之间的 电子直接隧穿电流 将显著增大，导致栅电流的增大和输入阻抗的下降。 其次，太薄的栅氧化层难以掩蔽杂质向沟道区的扩散。 采用 高介电常数 的材料代替 SiO2 作为栅绝缘层，可以在不降低栅绝缘层厚度的情况下，获得足够大的栅电容。SiOxNy 或HfO2 是这类替代材料。 随着IC工艺的发展，氧化系统已从卧式发展到立式，从常规氧化炉发展到快速氧化设备。从直径50mm 的石英管发展到40cm及单片氧化设备。 结构：1. 气源系统； 2. 炉体柜； 3. 装片系统； 4. 微机控制系统； 立式系统 主要满足于大直径 Si片的氧化，体积小、 氧化均匀、片子不易变形、容易实现自动化。 快速升温氧化扩散系统 升温速率高（100oC/min） 不易产生滑移缺陷，适合薄氧化层生长。 3.9 氧化系统 根据集成电路的要求确定氧化工艺 1、高质量氧化：干氧氧化或分压氧化； 2、厚层的局部氧化或场氧化：干氧+湿氧+干氧，或高压水汽氧化； 3、低界面态氧化：掺氯氧