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第一章 电力电子器件 一、填空题 1.电力电子器件一般工作在________状态。2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、 ________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为________ 、 ________ 、________三类。5.电力二极管的工作特性可概括为________。6.电力二极管的主要类型有________、________、 ________。7.肖特基二极管的开关损耗________快恢复二极管的开关损耗。8.晶闸管的基本工作特性可概括为 ____ 正向有触发则导通、反向截止 ____ 。.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDRM________Ubo。1.逆导晶闸管是将________与晶闸管________（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。1.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为________ 。1.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的________、前者的饱和区对应后者的________、前者的非饱和区对应后者的________。1.电力MOSFET的通态电阻具有________温度系数。1.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而________，开关速度________电力MOSFET 。1.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________。1.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为________和________两类。1.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。.抑制过电压的方法之一是用________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于________功率装置的保护 。.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。2.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是________措施，给每只管子并联RC支路是________措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用________的方法。2.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有________温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有________温度系数。2.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是________，属于半控型器件的是________，属于全控型器件的是________；属于单极型电力电子器件的有________，属于双极型器件的有________，属于复合型电力电子器件得有 ________；在可控的器件中，容量最大的是________，工作频率最高的是________，属于电压驱动的是________，属于电流驱动的是________。 ? ??；可关断晶闸管 ?；功率场效应晶体管? ；绝缘栅双极型晶体管? ；IGBT是?? 和?? ??的复合管。 26、晶闸管对触发脉冲的要求是??? ? 、??? ????和? 。 27、多个晶闸管相并联时必须考虑　 的问题，解决的方法是??? 。? 28、型号为KS100-8的元件表示??? ? 晶闸管、它的额定电压为 ?? ??伏、额定有效电流为?? ??。 29、当温度降低时，晶闸管的触发电流会?? ?、正反向漏电流会?? ??；当温度升高时，晶闸管的触发电流会? ?、正反向漏电流会?? ?。 30、常用的过电流保护措施有?? 、 、 、 。（写出四种即可） 31、双向晶闸管的触发方式有??? 、? 、? 、? ????四种 。 32. 晶闸管变流器主电路要求角发电路的触发脉冲应具有一定的宽度，且前沿尽可能 。 33.在实际应用中，双向晶闸管常采用_______和_______两种触发方式。 34、在电力