ICP刻蚀工艺要点..doc

ICP考试题库 选择题。 1、ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在（B ）RPM A 20000 B 32000 C 40000 D 18000 2、北微ICP本底真空和漏率指标为（A ）时，设备能够正常工作 A 0—0.1mT 1mT/min B 2.5mT 2mT/min C 0.3-- 0.5mT 1.0mT/min D 0.5mT 2.5mT/min 3、NMC 刻蚀机当前SRF时间为（ C ）时，要求对设备进行开腔清洁 A 50H B 100H C 200H D 2000H 4、SLR ICP托盘、螺丝等清洗标准作业流程(ABC) A:用DI水喷淋托盘（底盘和盖子）、耐高温橡皮条（7根）、螺丝 B:用N2吹干 C:螺丝使用一次后清洗；托盘和橡皮条使用三次后清洗；当天全部声波清洗 5、ELEDE ICP铝盘、石英盖、密封圈清洗标准作业流程( ABCD ) A. 用DI水浸泡石英托盘20min B. 用DI水冲洗一遍 C. 用N2吹干 D．用IPA擦拭密封圈 6、ELEDE ICP卸晶片标准操作流程( ABC ) A．用专用螺丝刀把托盘的螺丝拧松，用手拧开，放回固定位置 B．用手轻轻地取出石英盖 C．用专用镊子将晶片夹放到相应的盒子里 7、CORIAL ICP卸晶片工艺步骤( ABC ) A． 用小起子将铝盖轻轻翘开 B． 移开铝板 C． 用真空吸笔将蚀刻片吸到相应的盒子里 填空题。 1.蚀刻好的晶片测得的高度是1.75um底径是2.74um那么需要进行补刻大约300S 2.蚀刻时一般设置氦气的压力是4Torr当实际压力超过 5.2Torr 会报警氦漏 3.NMC机台正常工作时分子泵的转速是32000 RPM 4.在NMC工作中氮气的作用是 吹扫腔体 氦气的作用时 冷却晶片(托盘) 氧气的作用是 清洁腔室 三氯化硼的作用是 蚀刻晶片 5. 1 Torr = 133 P a 6.清洗晶片时丙酮的作用是清洗 有机物 异丙醇的作用是清洗 丙酮 7.曝光使光刻胶有选择性，正胶 光照 地方，负胶 未被光照 地方，光刻胶被显影液反应掉 8.ICP的清洁没有做好会造成晶片 死区盲区 等缺陷 9.造成马赛克的因素有 晶片的平整度 ， 匀胶的均匀性 ， 曝光台的清洁度 10.NMC机台连续工作 5 小时需要做Dryclean 11. 每周五检查冷冻机冷冻液剩余情况，低于第一个金属环时应添加异丙醇 12. 当机台闲置2小时以上再生产时，应对机台进行一次预热动作 13.作业过程中，杜绝晶片放错片盒，以工艺记录本的刻号为准 14. 实验时装片要仔细查看晶片，避免把好晶片当成废片作为陪片刻蚀 15. 实验片刻蚀完放回原来的盒子中，不可另外单独存放 16. 每蚀刻完一个RUN，抽取两片进行检测，检测数据如有异常，立即报告工艺人员 17. 拿晶片测量数据时，不可用手触摸晶片表面，避免晶片污染导致测量误差 18. 每班下班前保证有三盒有胶废片，用过的废片满一盒后要及时送往清洗站 19. 蚀刻前进行晶片的挑选，凡有马赛克、污染、针孔等缺陷超过0.2mm2 的不能蚀刻,收集到返工盒里，待满一盒，流到清洗站清洗 20.每次做完PM后连续做5个SEASON接着做4片实验，若实验片数据和外观OK就正常生产，负责在做3个SEASON和4片实验，直到能够生产为止 判断题： 1, ICP刻蚀的工艺气体是三氟甲烷＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（ × ） 2，Corial冷冻机里面装的是ACE ＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿( × ) 3，ICP石英托盘用ACE清洁＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（ × ） 4, 真空吸笔头容易脱落，吸片前检查一遍吸笔头是否稳固＿＿＿＿＿＿＿＿（ √ ） 5，每次生产时用无尘布加IPA擦拭片盒和CM腔室＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（ √ ） 6，操作员可更改ICP生产程序＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿（ × ） 四，问答题： 1.在检测发现有很多的废片如满天星；边不对称；刮花等，试分析一下造成这些废片的原因。 答：造成满天星的因素可能是1晶片曝光过程中光刻板污染、显影过程中脱胶等，但是刻蚀前没有镜检，2装完片没有进行吹扫有颗粒落在晶片上，3机台长久没有做PM有颗粒掉在晶片上。 边不对称：1装片时没有调整好，2盖石英盖时造成晶片移位。 刮花：1装片调整时镊子刮到晶片，2目检时遗漏了刮花缺陷，3拧螺丝时手指衣袖等碰到晶片。 2．NMC机台