pnp型SiGeHBT的制备研究..doc

pnp型SiGe HBT的制备研究 王喜媛1，张鹤鸣1 ，刘道广2，郑娥2，张静2 ，徐婉静2 (1.西安电子科技大学 微电子研究所 陕西，西安 710071； 2.重庆固体电子研究所 重点实验室，重庆 400060） 摘要：从pnp型Si/SiGe HBT的能带结构出发，阐述pnp型Si/SiGe HBT的放大原理，采用MBE方法生长Si/Si1-x Gex合金材料，并对Si/Si1-x Gex合金材料的物理特征和异质结特性进行表征，在重庆固体电子研究所工艺线上，研制出了pnp 型Si/SiGe HBT器件。器件参数为：Vcb0＝9V， Vce0＝2.5V，Veb0 ＝5V，β＝10。 关键词：pnp型SiGe HBT；禁带宽度Eg ；Ge组分；能带 中图分类号：TN304.2 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2003)03-0034-03 1引言 1987年，美国Bell实验室、IBM公司、日本的NEC及瑞典的Linkoping大学，几乎同时报道了世界上首批利用SiGe合金材料作为基区的异质结双极型晶体管（HBT）的研究成果。由于化学汽相淀积生长SiGe材料的成功，Si/SiGe HBT器件得以迅速发展。德国的Daimler Benz研究中心使用Si-MBE技术在Si衬底上生长出SiGe合金材料，一次性完成单晶型硅发射区和SiGe基区的生长，避免了形成多晶硅发射极时所必须的高温退火工艺, 因此提高了基区中的锗组分；通过提高基区的硼掺杂浓度，降低了基区电阻，使得SiGe HBT器件在微波及毫米波段应用的优越性充分展现，已制造出截止频率为300GHz的 npn型Si/SiGe HBT器件。SiGe HBT具有超高速、超高频、大功率、低噪声、低温高增益、与现有硅工艺兼容、易于集成等优点。目前，国际国内对于 npn型Si/SiGe HBT器件及电路的研究非常多，然而在实际应用中，例如高速模拟电路和混合信号电路，互补双极技术[1]的性能远远优于单独的npn管。 BiCMOS具有许多可喜的性能，能为日益增多的无线应用提供片上系统的解决方案。在模拟集成电路里 pnp型晶体管有不可替代的作用，因而pnp型SiGe HBT的研究都是非常重要的。 本文根据pnp型晶体管的放大原理和异质结的超高速，超高频的产生机理，以重庆固体电子研究所Si工艺条件为基础，开发出一套pnp型Si/SiGe HBT器件的制备工艺，并对分析实验结果进行了分析。 2pnp型SiGe HBT的制备原理 2.1 pnp型SiGe HBT的结构原理异质结是两种不同材料之间形成的结。若这两种材料是半导体，则形成半导体异质结。例如，由半导体Ge和Si之间形成的异质结称为半导体异质结。pnp型晶体管的异质结原理类似于npn型晶体管，它的特点是在基区掺入Ge组分，通过减小能带宽度,从而使基区少子——空穴从发射区到基区跨越的势垒高度降低，提高了发射效率γ。因而，很大程度上提高了电流放大系数β。在满足一定的放大系数的前提下，基区可以重掺杂，并且可以做得较薄，这样，减少了载流子的基区渡越时间，大大提高了特征频率fT，这正是异质结在超高速，超高频器件中的优势所在。 2.2Si/Si1-xGex合金材料的物理特性 Si1-xGex 合金的禁带宽度Eg与组分x有关，这种关系可通过光吸收实验分析，如图1所示[2] ： 曲线1是无应变SiGe合金的E g(x)关系，该曲线表明Ge含量直到85%，SiGe合金的 Eg变化不到0.2eV，仍然表现出Si的特性。曲线2和曲线3是对应有应变的情况（在Si衬底上生长的Si1-x Gex 膜即属于此）。其中曲线2是相应于轻空穴带的E g(x)，曲线3是相应于重空穴带的E g(x)。可用以下关系式表示后者（在＜100＞Si衬底上生长的合金）： Eg（x）= EgSi –0.74x (1) 其中，Si的禁带宽度Eg Si与温度T和高掺杂引起的禁带变窄E g有关： EgSi = E0 –AT2/B+T - Eg (2) 而Eg与掺杂浓度 N的关系为： 式（2）和（3）中，E0 ＝1.17eV，A=4.73×10-4eV，B =636K，V1=9mv，N0 =1017cm-3，C=0.5，q 是电子电荷。 由图1可以看到，应变的存在将使禁带宽度减小。因此，可以通过改变x或应变来调节E g，这在能带工程中具有重大意义。 2.3 Si/Si1-xGex异质结能带配置由于Si1-xGe x 赝晶的禁带宽度与组分x和应变大小有关，因此应变的Si 1-xGex与各种衬底构成的异质结的能带配置有各种不同的情况。这主要决定于导带底的突变量Δ EC和价带顶的突变量ΔEV 的大小（对突变异质结而言）。 对赝晶