(精)第08讲_第4章ARM片上总线和ARM7TDMI核 85页.pptVIP

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  • 2017-01-09 发布于北京
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(精)第08讲_第4章ARM片上总线和ARM7TDMI核 85页.ppt

* * * * 与加电复位相关的主要控制信号 nMREQ(not memory request) 在接下来的周期,当处理器请求存储器访问时,它为低。 SEQ(quential address) 当下一个存储器周期的地址与上一次存储器访问的地址紧密相关时,SEQ为高。在ARM状态,新地址可以是相同的字或下一个。在Thumb状态,新地址可以是相同的半字或下一个。与低位地址线配合,它可用于指示下一个周期可使用快速存储器模式(例如DRAM页模式),或用于旁路地址转换系统。 nEXEC(not executed) 因为指令没有通过条件码测试,所以,当指令在执行单元没有被执行时,它为高。 * * ARM7TDMI是ARMv4T体系结构 * 机械工业出版社,2008年3月第1版《嵌入式系统基础教程》的配套课件 本科生嵌入式系统课程 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 这一部分的内容对计算机专业或者嵌入式专业的学生而言可以增加内容 * ABORT(memory abort) 存储系统使用该信号通知处理器其所请求的访问是不允许的。 * * nENOUT(not enable output) 写周期,在MCLK上升沿之前将该信号驱动为低,且在整个周期保持为低。在共享总线的应用中,这可被用于辅助仲裁。 * *

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