(精)电力电子技术基础—驱动.pptVIP

UeUH时，二极管反偏，只有很少的漏电流 Ue=ηUb+UVD,VD导通，Up称为峰点电压，Ip峰点电流 VD导通，Rb1迅速减小，UH下降，Ie增大到Iv时，Ue=UV，Uv谷点电压， Iv谷点电流。P-V两点之间称为负阻区 一旦UeUV, Rb1增大，单结晶体管由导通转入截止。 C的充电时间常数 ，决定脉冲电压uG的产生时刻 放电时间常数 ，决定脉冲宽度 1) 脉冲形成环节 2) 锯齿波的形成和脉冲移相环节 锯齿波电压形成的方案较多，如采用自举式电路、恒流源电路等；本电路采用恒流源电路。 GTO GTO的开通控制与普通晶闸管相似。 GTO关断控制需施加负门极电流。 直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿。 目前应用较广，但其功耗大，效率较低。 开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。 关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗。 关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压。 GTR的一种驱动电路，包括电气隔离和晶体管放大电路两部分。 电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件。 为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小。 使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGB