平板显示技术：第六章LED分析.ppt

LED条屏 LED条屏由单元板，电源，控制卡，连线构成。单元板是LED的显示核心部件之一，由LED模块，驱动芯片和PCB电路板组成。LED模块是由很多个LED发光点用树脂或者塑料封装起来的点阵。 户内条屏常用的单元板规格有： 参数：发光直径 D=3.75mm; 点距4.75mm；64点宽x16点高；单红/红绿双色 做一个128x16点的屏幕，只需要用2个单元板串接起来。 单元板正反面 * 全彩屏：显示箱体+控制系统+计算机+通讯网络+架体等组成 * 户外PH16 LED全彩屏实例 尺寸（W×H）256mm×128mm×20mm 点间距（mm）16mm 像素点（点数/ m2）3906点数/m2 分辨率（W×H）16点×8点 重 量（kg/个）0．653kg/个 256mm 20mm 128mm 单位像素点构成 * 管芯及标准单元箱体参数 模组尺寸（W×H×H）1024mm×1024mm×180mm 60° 120° LED 波长（Typ） 封装方式 视角 620-625nm DIP546 520-525nm DIP546 465-470nm DIP546 屏体波长控制在2.5nm之内，屏体亮度≥6500cd/㎡ 1024mm 180mm 1024mm 正面图 * 室外模组 背面 * 屏体参数 屏体面积长6.144m × 高4.096m=25.16m2 单元箱体个数标准箱体长(个)6× 高(个)4= (个)24 工作中的屏 模组拼合 箱体拼合 * 6.2 LED工作原理与材料 发光二极管是由数层很薄的掺杂半导体材料制成，一层带过量的电子，另一层因缺乏电子而形成带正电的“空穴”，当有电流通过时，电子和空穴相互结合并释放出能量，从而辐射出光。 发光来源于电子与空穴复合时放出的能量。 在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的形式释放。这就是P-N结发光的原理。 * 电流注入与发光 实际LED的基本结构是一个P-N结。当在P-N结上施加正向电压，即P型接正，N型接负的电压，会使能垒降低，从而使穿越能垒的电子向P型区扩散，使穿越能垒的空穴向N型区扩散的量增加。 通常称此为少数载流子注入，注入的少数载流子与多数载流子发生复合从而放出光。 随电压增加，达到一定值，电流急剧增加，光发射开始。电流开始增加时对应的电压相应于P-N结势垒的高度，称该电压为起始电压，起始电压随LED材料及元件的结构不同而不同，GaAs为1.0～1.2V，GaAIAs为1.5～1.7V，GaP为1.8V，SiC为2.5V等等。 * LED驱动概述 原始电源有各种形式，但无论哪种电源，一般都不能直接给LED供电。因此，要用LED作照明光源就要解决电源变换问题。 LED实际上是一个电流驱动的低电压单向导电器件，LED驱动应具有直流控制、高效率、PWM调光、过压保护、负载断开、小型尺寸以及简便易用等特点。 * InGaN LED的元件结构 p-Electrode n-Electrode p-GaN p-AlxGa1-xN InyGa1-yN n-AlzGa1-zN n-GaN GaN Buffer Layer Sapphire Substrate 正负电极都在基板的上方!! * 理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ≈1240/Eg（mm） 电子由导带向价带跃迁时以光的形式释放能量，大小为禁带宽度Eg，若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在1.59～3.26eV之间。 在此能量范围之内，带隙为直接带的III-V族半导体材料只有GaN等少数材料。解决这个问题的一个办法是利用III-V族的二元化合物组成新的三元或四元III-V族固溶体，通过改变固溶体的组分来改变禁带宽度与带隙类型。 由两种III-V族化合物（如GaP和 GaAs 、GaP和InP）组成三元化合物固溶体，它们也是半导体材料,并且其能带结构、禁带宽度都会随着组分而变化，由一种半导体过渡到另一种半导体。 * X的取值 三元化合物 Ga PX As 1-X 禁带宽度 波长与颜色 X=0.2 Ga As 0.8P0.2 1.66eV λ=747nm 红色 X=0.35 GaAs0.65P0.35 1.848eV λ=671nm 橙色 由此可见，调节X的值就能改变材料的能级结构，即改变LED的发光颜色。此即所谓的能带工程。 * * 可見光区的光電半导体材料 波長 ( 纳米 ) 300 400 500 600 700 AlGaAs 砷化銦鎵 AlGaInP 磷化鋁鎵銦 InGaN 氮化銦鎵 * 人眼