01---半导体名词解怿..docVIP

? ACTIVE AREA主动区(工作区) 主动晶体管 (ACTIVE FRANSISTOR)被制造的区域即所谓的主动区(active area)在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩及等接氮化硅蚀刻之后的局部特区氧化(LOCOS OXIDATION)所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤．所以 Active AREA会受到鸟嘴 (BIRD’S BEAK)之影响而比原先的氮化硅光罩所定义的区域来得小以及长，0.6UM的场区氧化而言大概会有0.5 UM之BIRDS BEAK存在也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩定义之区域小0.5UM ? Acetone丙酮 1.丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3 2.性质：无色，具剌激性薄荷臭味之液体 3.用途：在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭 4﹒毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、念心、呕吐、目眩、意识不明等。 5﹒允许浓度 :1000ppm ? ADI显影后检查 After Developing Inspection之缩写 目的：检查黄光室制程;光阻覆盖?对准?曝光弓显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良‥‥等即予修改(Rework)﹒以维产品良率、品质。 方法：利用目检、显微镜为之。 ? AEI蚀刻后检查 1. AEI 即After Etching Inspection，在蚀刻制程光阻去除、前反光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。 2. AEI之目的有四： 2-1提高产品良率，避免不良品外流。 2-2达到品质的一致性和制程之重复性。 2-3显示制程能力之指针。 2-4防止异常扩大，节省成本 3. 通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少做修改。因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高，以及良率降低之缺点。 ? Air Shower空气洗尘室 进入洁净室之前，须穿无尘衣，因在外面更衣室之故﹒无尘衣上沽着尘埃，故进洁净室之前﹒须经空气喷洗机将尘埃吹掉。 ? Alignment对准 目的：在IC的制造过程中，必须经过6至10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。 方法：利用芯片上的对准键﹒一般用十字键﹒和光罩上的对准键合对为之 方式：1.人眼对准， 2.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。 ? ALLOY/Sinter合金化 ALLOY之目的在使铝与硅衬底（SILICON SUBSTRATE）的接触有OHMIC特性，即电压与电流成线性关系。 ALLOY也可降低接触的阻力值。 ? AL/SI铝/硅 靶 此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用AR游离的离子，让其撞击此靶的表面，把AL/SI的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用之组成为AL/SI(1%)，将此当做组件与外界导线连接。 ?? AL/SI/CU铝/硅/铜 金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET，其成份为0.5% 铜，1% 硅及98.5%铝，一般制程通常是使用99%铝 1%硅．后来为了金属电荷迁移现象(ELEC TROMIGRATION) 故渗加0.5%铜降低金属电荷迁移 ? ALUMINUM铝 此为金属溅镀时，所使用的一种金属材料，利用AR离子，让其撞击此种材料做成的靶表面﹒把AL原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此做为组件与外界导线之连接。 ? ANGLE LAPPING角度研磨 ANGLE LAPPING 的目的是为了测量JUNCTION的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之ANAGLE LAPPING。公式为Xj =l/NF，即JUNCTION深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着VLSI组件的缩小，准确度及精密度都无法因应，如SRP(SPREADING RESISTANCE PRQBING) 也是应用﹒ANGLE LAPPING的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻质的对应关系求出JUNCTION的深度，精确度远超过入射光干涉法。 ? ANGSTROM埃 是一个长度单位，其大小为1公尺的佰亿分之一，约人的头发宽度之伍拾万分之一。此单位常用于IC制程上，表示其层(如SiO2，POLY，SIN‥)厚度时用。 ? APCVD (ATMOSPRESSURE)常压化学气相沉积 APCVD 为 ATMOSPHERE(大气), PRESSURE （压力）, CHEMICAL (化学), VAPOR(气相) 及 DEPOSITION (沉积) 的缩写， 也就是说， 反应气体(如