227単结晶(ラン)..doc

GaN的整体结晶 整体的必要性 目前的GaN系列装置是通过气相成长在蓝宝石等的异种基板上成长，一旦用同样的方法为了仅将加厚成长的GaN部分作为基板使用，由于原有格子的不一致和热膨胀率的差引起应力并包含很多的换位。 因为换位对激光等发光装置的寿命带来很大的影响，所以最少要求在106个/cm2以下。另外，关于今后期待高频装置的实用化，单元尺寸为了要比发光装置大，现在的Lateral overgrowth无法确保低换位密度领域。 即在广阔的领域追求换位少的结晶。 另一方面，作为用MOVPE和MBE制作装置基板的母材结晶，追求像Si和GaAs以及GaP等之类结晶的生产性和尺寸。 为了满足这些的结晶性和尺寸以及生产性，只有通过提升法得到Si，布里奇曼法得到GaAs，热液法得到水晶一样制作整体单结晶，然后从这里为突破口考虑制作基板的方法是最现实的。 Ga的特征 GaN是高融点特征，在常压下如果加热就会分解Ga和氮。要使成为融液必须在2250℃和6GPa压力的条件。所以提升法和布里奇曼法等方法的融液成长是非常困难的。为此，尝试原来的以气相成长和熔剂法等为主的方法。 表2 气相法 （HVPE? MOVPE法） Na熔剂法 （LPE法） N2气高压法 安热合成法 合成温度 1000℃ 500~800℃ 1400~1500℃ 300~500℃ 合成压力 1气压 50~100气压 10000气压以上 1000~3000气压 特征 ·Φ2″实用化 ·必要基板不均匀成长 ·毫米级整体单结晶成功 ·Na熔剂的处理 ·高温高压原因，大规模装置价高 ·和水晶的热液法相同的原理 ·超临界氨的处理 国内研究机关 东京农业工业大学 住友电工 古河机械金属 日立电线 三菱化学 东北大学 利科 大阪大学 山口大学 日本energy 东北大学 国外研究机关 Gree(USA) LUMILOG(法国) Kyma(USA) TDI(USA) UCSB(USA) 慕尼黑大学（德国） 康奈尔大学（USA） 科学院高压力研究所（波兰） UNIPRESS（波兰） Air Force(USA) 克莱姆森大学（USA） Naval research(USA) 中国工科院（中国） 华沙大学（波兰） GaN的合成方法 表2中表示的主要是GaN合成方法的比较。 目前市场上供应的是根据HVPE的自立基板，但因为用于蓝宝石、GaAs、SiC等的异种基板成长，由于格子不一致和热膨胀率的不同产生的影响使换位密度变大，包括生产性问题在内，价格变得非常高。高压法作为整体成长就像之前所述的最初是传统的，由于这种压力大小的缘故，装置的大型化很难，并且结晶尺寸要大也很难。Na熔剂法在现时点可以得到更大结晶性更好，但Na的处理等等，在含有其他单结晶材料的情况下，用熔剂法存在整体结晶量产化难以确保的问题。安热合成法有水晶等的整体成长的业绩，是对品质和量产化有期待的方法，但现时点成长条件的不确定性部分还很多。 根据安热合成法GaN的结晶成长 开发的潮流 根据安热合成法GaN的整体单结晶的开发还是比较晚，主要还是从20世纪90年代后半开始的。最初是从毫微还有微水晶的生成开始的。目前尝试正通过HVPE等作为GaN结晶的种结晶种子的成长。 开发情况 表3 是表示各研究机构的情况。 表3 研究团体 原料 矿化剂 温度、压力 USA Kolis et al. U.S.AirforceLab. Nakamura et al. GaN KNH2, KI 500~550℃ 200~300MPa GaN KN3 NaI,NaNH2 500~600℃ 180MPa USA Purdy et al. U.S.Naval Research [Ga(NH)3/2]n NH4X X=Cl.Br.I 300~530℃ 68.94MPa [H2GaNH2]3 NH4I 200~450℃ 68.94MPa 中国 Chen et al. Ga Li 350~500℃ 200MPa Ga NH4X X=Cl.Br.I 300~500℃ 273MPa 波兰 Dwilinski Ga LiNH2 350~550℃ 400MPa 日本 东北大学 Ga. GaN NH4Cl 350~500℃ 120~150MPa 安热合成法主要在美国、中国、日本以及波兰展开。 特别在美国国防部（DOD）MURI程序中，在空军（AFRL）、海军（Naval Research）的2个研究所和5所美国大学在“Growth of Bull Wide Band gap Nitrides and Wafering”(2001~2006)上发表的作为宽频带信息间隙半导体材料开发的一环和Zn