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Norbert Pluschke 0808 * SKiM 63 93 安装 PCB 模块固定在散热器上 (压接系统) 端子螺丝孔 * 压接系统 靠近每个芯片多点压接以确保DBC的扁平，以及不会受到热循环而导致形变 无基板技术可以确保优秀的温度循环能力 弹簧接触使得驱动安装更加简易和可靠 * 母线设计 具备的功能: 主端子和芯片间低电感，低电阻以及对称设计 大功率逆变设计的高电流通过能力 和传统功率模块相比改善结构: 层叠母线系统 直流端子同侧，交流端子同侧 * * 什么是烧结技术 (Sinter Technology) 芯片 Sinter 层 更高的压力 DCB – 铜层 焊接技术 芯片焊层 DCB 铜层 采用 220 – 250 ℃ 焊接技术 新的半导体将具有更高的结点温度 - 至今已经具备了 175 – 200 ℃ - 距离标准的焊接温度已经很接近 - 我们需要更高的结点技术为功率半导体提供高的可靠性 在高压下熔点温度 250℃ 释放压力后 - 熔点温度是 962 ℃ SKiM? 功率模块系列 SKiM 63 SKiM 93 Rth(j-s) IGBT 0,14 0,095 K/W Rth(j-s) Diode 0,27 0,18 K/W IC nom, 600V 600 900 A IC nom, 1200V 300 450 A IRMS, 600V 1) 280 410 A IRMS, 1200V 1) 165 250 A SKiM? - SEMIKRON 集成模块 极其紧凑的压接模块 用于功率范围从30kW 到 150kW 的典型电机应用的6单元封装 1) 在 Vout= 230V/400V, fsw=8…10kHz 以及水冷条件下 Ta=80°C 逆变器输出电流 * V. Demuth * 600 V 1200 V 1700 V SKiM 406GD066HD IC nom = 400 A IC typ = 280 A PInverter = 80 kW SKiM 606GD066HD IC nom = 600 A IC typ = 330 A PInverter = 95 kW SKiM 306GD12E4 IC nom = 300 A IC typ = 200 A PInverter = 115 kW SKiM 909GD066HD IC nom = 900 A IC typ = 500 A PInverter = 150 kW SKiM 459GD12E4 IC nom = 450 A IC typ = 305 A PInverter = 180 kW SKiM 429GD17E4HD IC nom = 420 A IC typ = 65 A PInverter = 85 kW 全桥六单元功率等级 SKiM 93 SKiM 63 Tj=150°C, Tambient=70°C, fsw=8 kHz, cos?=0.83, 300V Tj=150°C, Tambient=70°C, fsw=8 kHz, cos?=0.83, 600V Tj=125°C, Tambient=70°C, fsw=8 kHz, cos?=0.83, 1200V * 紧凑的 IGBT 6 单元封装 GD 模块 * 并联 GB 模块用于大功率应用 对称的直流母线设计 对称的输出连接 1350A/1200V/ 80 ℃ 3 x SKiM 93 = 800kW 逆变器 GB 模块 * * Norbert Pluschke 0808 *