(精)电工电子第1章上——最新.pptVIP

3、杂质半导体 P 型半导体 1、PN结的形成 2、 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 第二节 二极管 常见的外形： 第二节 二极管 一、 基本结构 二、伏安特性 三、 主要参数 三、 主要参数 四、应用举例 第三节 特殊二极管 2、 主要参数 3、稳压电路 第四节 晶体管 一、基本结构 二、电流放大作用 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 三、特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 四、主要参数 1. 电流放大系数，? 符号 稳压二极管是一种特殊的面接触型二极管，由于它与适当阻值的电阻配合后能起稳压作用，故称稳压二极管。 稳压二极管工作于反向击穿状态，当反向电压撤去后，管子还是正常的，称可逆性击穿。 + — 一、稳压二极管 A K 1、稳压作用 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 U I O (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (4) 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 (2) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 UI=UR+UO=UR+UZ=IRR+UZ 若UI增加，则UO有增加的趋势，即UZ会增加，IZ会大大增加，使IRR大大增加，则限制了UO的增加，维持不变，反之亦然。 UO UI IZ R DZ UZ IR 若负载增加，其稳压原理一样。 例：右图所示电路，UZ=8V，IZM=18mA，US=20V， 问R=500Ω是否合适，应为多少？ 解：I= =24mA＞18mA 不适合。 R≥ =667Ω R US-UZ = 20-8 500 20-8 18 US=20V R UZ=8V 二、光电二极管 光电二极管是利用PN结的光敏特性,将接收到的光的变化转变为电流的变化。 当光照射二极管的PN结时，将成对的产生自由电子和空穴，使少子浓度提高，使反向电流增加，光的变化转变为电流的变化。 工作时加反向电压，反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 符号 光电二极管 三、发光二极管 发光二极管是将电能转换为光能的半导体器件，简称LED。 符号 当发光二极管正向偏置有电流通过时，由于电子与空穴复合而释放能量，从而发出不同颜色的光。 三、发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几 ~ 几十mA。 所发出光的颜色由半导体中所掺杂质决定,常见的红、黄、绿色掺入了磷砷化镓和磷化镓。 晶体管又称半导体三极管，是一种重要的半导体器件。它的放大作用和开关作用引起了电子技术的飞跃发展。 晶体管的结构，目前常见的有平面型和合金型两类。硅管主要是平面型，锗管都是合金型。 而从制造型号上，常分为NPN型和PNP型。 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论