(精)第3章 半导体光电检测器件及应用4——最新.pptVIP

* 2 信号电荷的存储 uG 10V 10V UG=5V UG=10V UG=15V 空势阱 填充1/3势阱 全满势阱 MOS电容存储信号电荷的容量为：Q=Cox?UG?A 3 信号电荷的转移和传输 如前所述加在MOS电容器上的电压VG愈高，产生的势阱愈深，在一定电压下，势阱深度随着其中信号电荷量的增加而线性的下降。利用这个特性，通过控制CCD相邻MOS电容器栅极电压的高低来调节势阱的深浅，使信号电荷从势阱浅的地方流向相邻的深势阱处，这样便实现了信号电荷的转移， 故CCD这部分又称为动态移位寄存器的作用。（信号电荷的转移过程也是在热非平衡态下进行的。因此CCD信号的存储和传输都必须在达到热平衡态之前进行，CCD是非平衡光电传感器件。为避免光照影响，CCD的移位寄存器表面上覆盖了不透光的金属。 ） * 3 信号电荷的转移和传输 CCD的基本功能是具有存储与转移信息电荷的能力，故又称它为动态移位寄存器。实现电荷转移条件： 首先，为了实现信号电荷的转换，首先必须使MOS电容阵列的排列足够紧密，以致相邻MOS电容的势阱相互沟通，即相互耦合。通常相邻MOS电容电极间隙必须小于3μm，甚至小至0.2 μm以下。 其次，根据加在MOS电容上的电压越高，产生的势阱越深的原理，通过控制相邻MOS电容栅极电压高低来调节势阱深浅，使信号电荷由势阱浅的地方流向势阱深处。 第三，在CCD中电荷的转移必须按照确定的方向。 在CCD中电荷的转移（右移）条件： 在MOS阵列上所加的各路电压脉冲即时钟脉冲，必须严格满足相位要求，使得任何时刻势阱的变化总是朝着一个方向。例如，电荷是向右转移，则任何时刻，当存有信号的势阱抬起时，在它右边的势阱总比它左边的深，这样，就保证了电荷始终朝右边转移。 3 信号电荷的转移和传输 * 涉及概念：位，相线，位数 “位”的含义：为了实现这种定向转移，在CCD的MOS阵列上划分成以几个相邻MOS电荷为一单元的无限循环结构。每一单元称为一位； “相线”的含义：将每一位中对应位置上的电容栅极分别连到各自共同的电极上，此共同电极称为相线。 举例：把MOS线列电容划分成相邻三个MOS为一单元，其中第1、4、7……电容的栅极连接在同一根相线上，第2、5、8……连接到第二个共同相线，第3、6、9……则连接到第三个共同相线。 一位CCD中含的电容个数=CCD的相数=CCD的位数 3 信号电荷的转移和传输 * 通常CCD结构：二相、三相、四相 时钟脉冲：二相、三相、四相。 二相脉冲：两种脉冲相位相差180°； 三相/四相脉冲：120°及90°。 当这种时序脉冲加到CCD的无限循环结构上时，将实现信号电荷的定向转移 3 信号电荷的转移和传输 * 3 信号电荷的转移和传输 二相CCD 如图所示 t=t1时， Ф1相——高电压， Ф2相——低电压， ?电极1、3、5…下形成势阱，可以存储信号电荷形成的电荷包。 图 二相CCD电荷转移原理图 3 信号电荷的转移和传输 二相CCD 如图所示 t=t2时 Ф1 相——电压线性↓ Ф2 相——电压线性↑ ?Ф1、Ф2下的势阱有相同的深度， ?Ф1下势阱中的信号电荷准备向Ф2势阱扩散。 图 二相CCD电荷转移原理图 * 3 信号电荷的转移和传输 二相CCD 如图所示 t=t3时 Ф1相——低电压 Ф2相——高电压 ?信号电荷已全部从Ф1下势阱转移到Ф2下的势阱中。 图 二相CCD电荷转移原理图 * 3 信号电荷的转移和传输 二相CCD的结构 重复上述类似过程，信号电荷将从Ф2 下的势阱转移到下一个Ф1下的势阱中，即从第2、第4个势阱?第3、第5个势阱中。 图 二相CCD电荷转移原理图 t4 * 3 信号电荷的转移和传输 二相CCD的结构 当整个二相电压脉冲循环一次时，电荷包向右前进了一位； 如此循环下去，信号电荷就从左到右传输，最后到达输出端。 图 二相CCD电荷转移原理图 t4 CCD输出部分的任务：将CCD中信号电荷无破坏地收集和检测出来。 信号电荷的检测方式：电流输出方式和电压输出方式。 举例：浮置扩散放大器电压输出方式为例作一介绍。 4 信号电荷的检测 如图所示，为浮置扩散放大器输出结构简图，它主要由CCD末端的输出栅OG、输出二极管、以及集成在同一芯片上的复位场效应管T1、放大场效应管T2 组成，C是A点的等效电容，由A处结电容、寄生电容, T2极间电容构成。 4 信号电荷的检测 举例：浮置扩散放大器电压输出方式 当信号电荷形成的电荷包经CCD传输到输出端时，通过输出栅OG转移?输出二极管的N型区域(又称为浮置扩散层)，放大场效应管T2的栅极信号电压由浮置扩散层收集到的信号电荷Q提供，其放大的输出信号电压随信号电荷变化(Vout=F(Q))。当信