4.2 寄生电容 4) 特定的工艺中,随着金属层次越高,最小宽度越大。 M1离衬底最近,单位面积电容越大。M4走供电总线,M3用作二级供电,如下图所示M2的寄生电容最小。 根据设计要求选择最小寄生电容层次 当层次离衬底越来越远时单位面积的电容越来越小,但最小宽度却在增大。 4.2 寄生电容 4.2.1 减小寄生电容的方法 寄生电容=金属线宽×金属长度×单位面积电容 1)敏感信号线尽量短 2)选择高层金属走线 最高层金属,离衬底最远,单位面积电容最小 3)敏感信号彼此远离 4)不宜长距离一起走线 5)电路模块上尽量不要走线 6)绕开敏感节点 4.3 寄生电阻 1)每根金属线都有寄生电阻(对于版图电流超过0.5mA就应该留意它的线宽、drop的影响) 2)如下图:我们希望这根导线能承载1毫安的电流,金属最小宽度是2um,当电流流过这一长导线时,它上面的压降是多少?电路要求10mv的电压降?如何改进? 2.1)IR Drop一般不要超过10mv,这意味着导线增加5倍。 3)电源布线时尤其要注意 金属层是每方块50毫欧=0.05欧 长/宽=方块数 4)可以根据19毫安的总电流来确定整条导线的尺寸。对 这条导线采用每微米0.5毫安,需要的导线宽度为38微米才可靠。(用总电流安培数除以每微米安培数19/0.5) 沿整条
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