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Latch Up的起因，经过，结果（转载 节选）在CMOS制程里，这种情况就是由于npn或pnp结构形成的放大电路造成的。所以要了解latch up现象，就必然首先了解放大电路是如何构成的，而最根本的就归结到npn或pnp晶体管是如何工作的。了解晶体管的工作原理是研究latch up的重点。而解决这一问题的关键又在于了解放大电路是如何构成的，这是两个方面，以下着重讨论。一、晶体管的工作原理?半导体工艺中，由高纯度的本征半导体进行掺杂，从而形成不同的形态。如果掺杂5价原子因电子数大于空穴数即称为n型半导体，若掺杂3价原子因电子数小于空穴数即称为p型半导体。空穴和电子都能搬运电荷，因而称载流子。将两种形态的半导体相邻结合到一起，由于彼此所含电子和空穴数浓度不同，因而相互扩散，由浓度高的向浓度低的地方移动，电子和空穴会在一定时间内相互结合而消失，以保持中性，这样形成一段没有载流子的空间，称为耗尽层。耗尽层存在电位差，有电场的存在，称之为内电场。在电场的作用下载流子发生定向移动，称之为漂移。扩散使电场增加，空间电荷范围加大，而漂移则在减弱空间电荷范围。这种将pn相邻结合到一起制成的晶体结构，称之为pn结。pn结在没有外力的情况下，处于热平衡状态，这种平衡状态是处于动态之中的，即扩散运动与漂移运行达成的平衡状态。pn结的外加电压，如果p端的电位高于n端的电位，这样的外电电场削弱了内电场，有利于多数载流子的扩散，形成从p流向n的电流，称为正向偏置，反之，载流子则几乎不发生移动，称为反向偏置。反向电压大于某一值时，会有导致pn结击穿，称为齐纳击穿或隧道击穿。另一种情况，是pn结两侧的杂质浓度过小，在高的反向电压作用下，引起价键的断裂，从而使电流成倍增加，称为电子雪崩现象或雪崩击穿。pn结制作成元器件使用就是二极管。pn结，p区空穴向n区扩散，n区电子向p区扩散，在相遇处复合。p区空穴扩散后留下负离子，而n区电子扩散后留下正离子，形成由n指向p的内电场。正向偏置时，p区不断提供复合留下的负离子，n区则复合留下的正离子，使得内电场范围缩小，扩散运动大于漂移运动，平衡状态发生破坏，因而有电流的产生。反向偏置，少数载流子的漂移处于优势，但因少数载流子浓度太低，引起的反向电流远小于正向电流。所以问题关键在于扩散与漂移运动是否平衡。半导体三极管，存在两个pn结，了解半导体三极管的工作原理就是要了解这两个pn结的平衡状态，在发生什么变化。这是三极管的符号，B(base)代表基电极，C(collector)代表集电极，E(emitter)代表发射极。晶体管的制作要求，从浓度大小来看，发射区最大，集电区最小。从尺寸看，集电区最大，基区最小。如果条件不能满足，晶体管将无法工作。以下以基极接地(共基极)为例进行分析：如上图所示，在E-B之间加正向偏置，在B-C之间加反向偏置。此时发射区的电子浓度上升，在正向偏置的情况下，大部分电子都扩散到基区因为基区很薄，有少部分电子流出，但大部分在电场的作用下，漂移到集电区。其中有些情况，比如基区向发射区的漂移(发射区很高的杂质浓度)，集电区向基区的扩散等微乎其微 (反向偏置)，所以可以忽略。所示npn的能够工作，除了发射区浓度很高，基区很薄，还有保证E-B正向偏置，B-C反向偏置。相应电流关系如下：Ie=Ib+Ic。假设Ie占Ic的比例为a,即Ic=aIe,Ib=(1-a)Ie称为电流传输率。Ic/Ib=(Iea)/[(1-a)Ie]=a/(1-a)设定a/(1-a)为β，称为电流放大倍数。通过比例关系可知，如果电流传输率为90%，电流放大9倍。换句话如果电流传输率为99%,电流将放大99倍。 90%到99%,放大倍数的骤增，可以想像Ib只要有小的变动，电流放大倍数就有大的变化。如此可见，晶体管是电流控制器件。二、放大电路是如何构成及触发条件现在进行实际操作，为了分析方便，以如图所示的电路具体进行分析。对应CMOS的简单版图如下：?以下来看一下对应的剖面图。任何相邻的pnp或npn都可以构成晶体管，所以考虑起来似乎比例麻烦!!从晶体管偏置来看，npn的发射区为衬底上的任一n+型区域，集电区为nwell及nwell上的n+。此时npn,基区接vss发射区接vss/in/out,集电区接vdd。就正反偏的原则来看，只要发射区联接电压小于vss,即npn可以触发。而另一边的pnp,基区接vdd,发射区接out/vdd/in，集电区接vss,触发的可能就是发射区电位高于vdd。从浓度与尺寸来看,也就是发射区浓度最高，基区尺寸最小，集电区有足够的大。基区的尺寸在npn管看来，似乎比较乐观，可惜npn的构成是横向的，也就是说如果把pmos与nmos画得太近的话就有问题了。对nwell来说，如果nwell的厚度很薄，因为npn的形成是在