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第5章存储器系统 内存储器的工作原理 内存储器与CPU的连接 5.1 概述 能够保存一位二进制信息的具有记忆功能的单元电路叫一个存储元，比如一个电容就可以是一个存储元； 8个存储元构成一个存储单元，可以保存一个字节的二进制信息； 许多存储单元构成了存储器； 存储器有两种基本操作：读操作和写操作； 一、存储器的分类 按存储器的系统结构划分： 主存储器(内存、主存） 辅助存储器（外存) 高速缓冲存储器cache 按存储介质分类 半导体存储器---用半导体器件组成的存储器称为半导体存储器。如晶体管－晶体管逻辑组成的TTL存储器、MOS六管存储器等； 磁性材料存储器：磁盘、磁带； 光盘等； 半导体存储器分类 随机存储器： 双极型半导体RAM，是以晶体管触发器作为基本存储电路，TTL电路；高速，功耗大、集成度低，成本高； MOS型RAM（Metal Oxide Semiconductor)低速，功耗低、成本低、集成度高； 静态SRAM是以双稳态触发器作为存储元 动态DRAM是用电容存储信息，需要刷新； 只读存储器ROM 掩膜式ROM 可编程式PROM 可擦除可编程式EPROM 电可擦除可编程式E2PROM 5.1.3 存储器芯片的主要技术指标 1、存储容量 存储容量＝存储单元个数×每个存储单元位数 如：SRAM芯片6264，它的容量为64Kb。它有8K个存储单元，每个存储单元存储8位二进制信息。 再如：DRAM芯片NMC41257的容量为256K×1，即它有256K个单元，每个单元存储1位二进制信息; 2、存取时间TA 存取时间又称存储器访问时间，即从启动一次存储器操作到完成该操作所需要的时间；如从发出读操作到读操作完成。 例：MT 48 LC 16M8 A2 TG -8E 6264存储芯片 根据地址线的根数，SRAM芯片分为： 根据数据线的根数，可以判断芯片中一个存储单元能保存多少位二进制信息； 3. SRAM芯片的应用 如何使用存储器芯片，即如何实现它与系统的连接，关键的问题是如何安排芯片的地址范围使其满足用户的要求； 存储器地址译码的方法： 全地址译码方式 部分地址译码方式 地址译码的方法 全地址译码方式 使用CPU系统提供的全部地址总线；即所有的高位地址线译码输出作为片选信号，低位地址信号线与存储芯片的地址线一 一相连。这样，每个存储单元在整个内存空间中具有唯一 的一个地址； 对于6264芯片，用CPU系统中低13位地址信号（A0~A12）决定6264芯片中每个存储单元的地址，用高7 （A13~A19）位地址信号决定芯片在整个内存中的地址边界。 全地址译码方式 全地址译码方式 部分地址译码方式 仅仅使用系统地址总线的一部分，通常是使用高位地址总线的一部分进行译码输出作为片选信号，而低位地址信号线与存储芯片的地址线一 一相连。 部分地址译码方式使地址出现重叠区； 部分地址译码又分为： 译码片选法：将高位地址线总线中的某根或某几根译码输出作为片选信号； 线性片选法：将高位地址总线的1根直接连接到存储芯片的片选信号端； 特点：简单，多片存储芯片地址不连续，且有时重复。多用在芯片数目少的情况下。 部分地址译码仅用于单片机系统和简易微控系统； 单管动态存储元 典型芯片2164A DRAM在系统中的连接 5.2.3 存储器的扩展 使用多个芯片组成存储系统： 1、存储容量的位扩展 位扩展的电路连接方法：将每一个存储芯片的地址信号线和控制线并联地接到系统总线上，将他们的数据线分别引出连接至数据总线的不同位上； 2、存储容量的字扩展 3、字位扩展 构成一个容量为M × N位的存储器，如果使用m × n的芯片，则需要的芯片数为：(M/m)×(N/n) 例：用Intel2164构成容量为128KB的内存； 5.3 只读存储器 可擦除可编程式EPROM 电可擦除可编程式E2PROM 闪存(FLASH) E2PROM，如28F040； EPROM的工作原理： 一个存储元由控制管T和 浮置栅雪崩注入式MOS管Tf组成， 称为FAMOS管； 一个典型的EPROM芯片2764 27系列的芯片： 2716 2732 2764 27128 27256 27512 2764的引脚含义： A0~A12：13根地址线，8K个存储单元； D0~D7：8根双向数据线，EPROM写入时：输入； 正常操作时：输出； CE：片选信号； OE：输出允许信号； PGM：编程脉冲输入；读操作时PGM=1; VPP：编程电压输入端，12.5V、 15V、21V、25V； 编程写入 标准编程：在VPP端 加上50ms的负脉冲，就可将一个字节的数据写入相应的地址单元中。 快速编程：编程脉冲为10