第3讲-变频器原理及应用分析.ppt

《变频器原理与应用（第2版）》第2章 总结 功率二极管（D） 晶闸管（SCR） 门极可关断晶闸管（GTO） 电力晶体管（GTR） 功率场效应晶体管（P-MOSFET） 2.6 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 2.6.1 IGBT的结构 a) b) c) d) 　　　　图2-24　IGBT结构示意图、电路符号和等效电路 a) IGBT模块 b)IGBT结构示意图　c)电路符号　d)等效电路 2.6.2 IGBT的基本特性 1) 传输特性 2) 输出特性 2.6.3 IGBT的主要参数（P26） 1)集电极-发射极额定电压UCES 2)栅极-发射极额定电压UGES 3)额定集电极电流IC， 4)集电极-发射极饱和电压UEC(sat) 5)开关频率（100kHz以下） 2.6.4 IGBT的驱动电路 1）电压驱动，2.5～5V的阈值电压，有一个容性输入阻抗，因此IGBT对栅极电荷非常敏感，故驱动电路必须很可靠，要保证有一个低阻抗值的放电回路，即驱动电路与IGBT的连线要尽量短。 2）用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压有足够陡的前后沿，使IGBT的开关损耗尽量小。IGBT开通后，栅极驱动源能提供足够的功率，使IGBT不退出饱和而损坏。 3）驱动电路要能传递几十kHz的脉冲信号。 4）驱动电平+UGE的选择必须综合考虑。在有短路过程的设备中 ，由于负载短路时的IC增大，IGBT能承受短路电流的时间减少，对其安全不利，因此UGE应取得小一些，一般为12～15V。 5）在关断过程中，为尽快抽取PNP管的存储电荷，应施加一负偏压UGE，但其受IGBT的G、E间的最大反向耐压限制，一般取-1～-10V。 6）在大电感负载下，IGBT的开关时间不能太短，以限制di/dt所形成的尖峰电压，确保IGBT的安全。 7）由于IGBT在电力电子设备中多用于高压场合，故驱动电路与控制电路在电位上应严格隔离。 8）IGBT的栅极驱动电路应简单实用，其自身带有对IGBT的保护功能，有较强的抗干扰能力。 2.7 集成门极换流晶闸管IGCT 2.8 智能功率模块(IPM) 本 章 小 结 第三章 交-直-交变频技术 图3-1 交-直-交变频器的主电路框图 3.1 整流电路 3.1.1 不可控整流电路 不可控整流电路使用的元件：功率二极管， 不可控整流电路按输入交流电源的相数不同分：单相整流电路、三相整流电路和多相整流电路。 三相不可控整流电路分析 2.原理： 共阴极组三只二极管VD1、VD3、D5 在t1、t3、t5换流导通； 共阳极组三只二极管VD2、VD4、VD6 在t2、 t4、t6换流导通。 一个周期内，每只二极管导通1／3周 期，即导通角为120°。通过计算可得 到负载电阻 RL上的平均电压为：Uo = 2.34U2 3.1.2 可控整流电路 三相桥式全控整流电路，如图3-4所示。 图3-4 三相桥式可控整流电路 2. 电路工作原理 三相交流电源电压uR、uS、uT正半 波的自然换相点为1、3、5，负半波的 自然换相点为2、4、6。 当α＝0°时，让触发电路先后向各 自所控制的6只晶闸管的门极(对应自然 换相点)送出触发脉冲，即在三相电源 电压正半波的1、3、5点向共阴极组晶闸 管VT1、VT3、VT5 输出触发脉冲；在三相 电源电压负半波的2、4、6点向阳极组晶 闸管VT2、VT4、VT6 输出触发脉冲，负载 上所得到的整流输出电压ud波形如图3-5b 所示的由三相电源线电压uRS、uRT、uST、 uSR、uTR和uRS的正半波所组成的包络线 。 图3-5b 三相桥式全控电路电压波形 3.可控整流电路控制原则 1) 三相全控桥整流电路任一时刻