（金）(新)模拟电子技术——精.ppt

模拟电子技术 作者：卜益民 北京邮电大学出版社 目 录 第一章 半导体元器件基础 1.1 半导体物理基础知识 1.2 PN结及其性能 1.3 半导体二极管 1.4 双极型晶体管 第二章 放大器基础 2.1 放大器的工作原理 ﹡2.2 放大电路的级联 2.3 放大器的频率特性 2.4 小信号选频放大器 第三章 场效应管及其放大电路 3.1 结型场效应管 3.2 绝缘栅场效应管 3.3 场效应管的特点及主要参数 3.4 场效应管基本放大电路 第四章 反馈放大电路 4.1　反馈的基本概念 4.2 反馈放大电路的分析 4.3 负反馈对放大器性能的影响 ﹡ 4.4 反馈放大器稳定性讨论 目 录 第5章 模拟集成电路 5.1 电流源 5.2 差动放大器 5.3 集成运算放大器 5.4 集成运放的基本应用 ﹡5.5 集成运放的其他应用 5.6 模拟乘法器及其应用 ﹡5.7 回转器电路 第6章 功率放大器 6.1 功率放大器的特点及分类 6.2 低频功率放大器 6.3 集成功放 6.4 高频丙类谐振功率放大器 第7章 直流稳压电源 7.1 直流稳压电源的组成 7.2 整流电路 7.3 滤波电路 7.4 稳压电源 ﹡7.5 集成稳压电源 7.6 开关型稳压电源 第8章 正弦波振荡电路 8.1 正弦波振荡电路的基本原理 8.2 LC反馈型正弦波振荡电路 8.3 石英晶体振荡电路 8.4 RC正弦波振荡电路 目 录 第9章 振幅调制与解调 9.1 无线通信概述 9.2 振幅调制 9.3 振 幅 检 波 9.4 混 频 第10章 角度调制与解调 10.1 角度调制 10.2 角度调制电路 10.3 调角波的解调 第11章 反馈控制电路 11.1 自动振幅控制电路 11.2 自动频率控制电路 11.3 自动相位控制——锁相 11.4 锁相环的应用 11.5 锁相频率合成器 第3章 场效应管及其放大电路 场效应晶体管FET(Field Effect Transistor)简称场效应管，是利用电压产生的电场效应来控制输出电流的大小的，它和晶体三极管一样具有放大作用。 场效应管不仅具有一般晶体三极管体积小、重量轻、寿命长等特点，而且还有输入阻抗高、噪声低、易于制造、便于集成等优势，故被广泛应用于集成电路中。 根据其结构的不同，场效应管通常分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(IGFET)两大类。本章首先介绍了两种场效应管的结构、工作原理及其特性曲线；分析比较场效应管与晶体三极管的特点，阐述了其主要参数；最后介绍了场效应管的两种基本放大电路——共源放大电路及共漏放大电路，我们应掌握其偏置电路、交流等效电路分析法及其性能指标的计算。 3.1 结型场效应管 3.1.1 结型场效应管基本结构和类型 结型场效应管可分为N沟道和P沟道两种类型。它们的结构示意图及相应的电路符号见图3.1。图3.1(a)是N沟道结型场效管的内部结构及电路符号。它在一块N型半导体材料两侧，通过高浓度扩散制造两个重掺杂的P+型区，形成两个P+N结。把两个P+区接在一起形成一个电极，称为栅极（G）。中间的N型区是载流子的流通路径，称之为导电沟道，在它的两端分别引出两个电极，分别称为源极（S）和漏极（D）。所以这一器件从外部看也有三条电极引线，从内部看也是背靠背的两个PN结。由于它的导电沟道为N型半导体，故取名N沟道结型FET。图3.1(b)是P沟道JFET的结构及电路符号，它与N沟道JFET相类似，只是导电沟道变为P 型半导体。图中栅极G的箭头方向表示了GS之间PN结的正偏方向。 3.1.2 结型场效应管的基本工作原理 场效应管是利用电压产生的电场效应来控制输出电流的大小的