国外集成电路命名方法分析.doc

国外集成电路命名方法 ?器件型号举例说明?( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）) AM 29L509 P C B AMD首标 器件编号 封装形式 温度范围 分类 ? L：低功耗； D：铜焊双列直插 C：商用温度， 没有标志的 ? S：肖特基； （多层陶瓷）； （0-70）℃或 为标准加工 ? LS：低功耗肖特基； L：无引线芯片载体： （0-75）℃； 产品，标有 ? 21：MOS存储器； P：塑料双列直插； M：军用温度， B的为已 ? 25：中规范（MSI）； E：扁平封装（陶瓷扁平）； （-55-125）℃； 老化产品。 ? 26：计算机接口； X：管芯； H：商用， ? ? 27：双极存储器或EPROM ； A：塑料球栅阵列； （0-110）℃； ? ? 28：MOS存储器理； B：塑料芯片载体 I：工业用， ? ? 29：双极微处理器； C、D：密封双列； （-40～85 ）℃； ? ? 54/74：同25； E：薄的小引线封装； N：工业用， ? ? 60、61、66：模拟，双极； G：陶瓷针栅陈列； （-25～85）℃； ? ? 79：电信； Z、Y、U、K、H：塑料 K：特殊军用， ? ? 80：MOS微处理器； 四面引线扁平； （-30～125）℃； ? ? 81、82：MOS和双极处围电路； J：塑料芯片载体（PLCC）； L：限制军用， ? ? 90：MOS； L：陶瓷芯片载体（LCC）； （-55-85）℃＜ ? ? 91：MOS RAM： V、M：薄的四面 125℃。 ? ? 92：MOS； 引线扁平； ? ? ? 93：双极逻辑存储器 P、R：塑料双列； ? ? ? 94：MOS； S：塑料小引线封装； ? ? ? 95：MOS外围电路； W：晶片； ? ? ? 1004：ECL存储器； 也用别的厂家的符号： ? ? ? 104：ECL存储器； P：塑料双列； ? ? ? PAL：可编程逻辑陈列； NS、N：塑料双列； ? ? ? 98：EEPROM； JS、J：密封双列； ? ? ? 99：CMOS存储器。 W：扁平； ? ? ? ? R：陶瓷芯片载体； ? ? ? ? A：陶瓷针栅陈列； ? ? ? ? NG：塑料四面引线扁平； ? ? ? ? Q、QS：陶瓷双列。 ? ? 器件型号举例说明( 缩写字符：ANA 译名：模拟器件公司（美）) AD 644 A S H /883B ANA首标 器件 附加说明 温度范围 封装形式 筛选水平 AD：模拟器件 编号 A：第二代产品； I、J、K、L、M： D：陶瓷或金属气 MIL-STD- HA：混合 ? DI：介质隔离产 （0-70）℃； 密双列封装 883B级。 A/D； ? 品； A、B、C： （多层陶瓷）； ? HD：混合 ? Z：工作在+12V （-25-85）℃； E：芯片载体； ? D/A。 ? 的产品。（E：ECL） S、T、U： F：陶瓷扁平； ? ? ? ? （-55-125）℃。 G：PGA封装 ? ? ? ? ? （针栅阵列）； ? ? ? ? ? H：金属圆壳气 ? ? ? ? ? 密封装； ? ? ? ? ? M：金属壳双列 ? ? ? ? ? 密封计算机部件； ? ? ? ? ? N：塑料双列直插； ? ? ? ? ? Q：陶瓷浸渍双列 ? ? ? ? ? （黑陶瓷）； ? ? ? ? ? CHIPS：单片的芯片。 ? 同时采用其它厂家编号出厂产品。 通用器件型号举例说明(缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）) ADC 803 X X X X 首标 器件编号 通用资料 温度范围 封装 筛选水平 ? ? A：:改进参数性能； J、K、L： M：铜焊的金属壳封装； Q：高可 ? ? L：自销型； （0-70）℃； L：陶瓷芯片载体； 靠产品； ? ? Z：+ 12V电源工作； A、B、C： N：塑料芯片载体； /QM： ? ? HT：宽温度范围。 （-25-85）℃； P：塑封（双列）； MIL ? ? ? R、S、T、V： H：铜焊的陶瓷封装 STD ? ? ? （-55-125）℃。 （双列）； 883产品。 ? ? ? ? G：普通陶瓷（双列）； ? ? ? ? ? U：小引线封装。 ? 模拟器件产品型号举例说明( 缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）) - -- X X X ? 首标 器件编号 温度范围 封装 筛选水平 ?