l数电第8章习题答案.docVIP

习 题 1. 如果一个半导体存储器中有m位地址线，则有 2m 个存储单元，若输出位数为n位，则其存储容量为n* 2m 位。 2. ROM的电路结构一般由 地址译码器 、和 3. 一片存储容量为K×1位的ROMRAM一般由 地址译码器 、 存储矩阵 和 读写控制电路 组成。 5. K×4位的RAM扩展成16K×8的存储器，共需要 16 片2K×4位的RAM。 二、分析与设计题 1. 半导体存储器的特点及分类是什么？半导体存储器分ROM和RAM ROM只读存储器 只能读，不能写，断电后信息不会丢失，属非易性存储器,ROM又分为 1、掩膜ROM：由生产厂商用掩膜技术将程序写入其中，适用于大批量生产 2、可编程ROM（PROM或OTP）：由用户自行写入程序，一旦写入，不能修改，适用于小批量生产 3、可擦除可编程ROM（ EPROM ）：可由用户自行写入，写入后，可用紫外线光照擦除重新写新的程序，适用于科研 4、电可擦除ROM（EEPROM）：可用电信号擦除和重新写入的存储器，适用于断电保护 RAM 随机存取存储器 既能读，又能写，断电后信息会丢失，属易失性存储器 RAM用于存放各种现场的输入输出程序，数据，中间结果。RAM又分为静态RAM，动态RAM 1、静态RAM（SRAM）：利用半导体触发器两个稳定的状态表示0或1 静态RAM又分为双极型的SRAM和MOS管的SRAM 双极型的SRAM：用晶体管触发器作为记忆单元 MOS管的SRAM：由6个MOS管作为记忆单元 双极双极型的SRAM型速度快， MOS管速度慢，不需要刷新 2、动态RAM（DRAM）：利用MOS管的栅极电容保存信静态RAM息，即电荷的多少表示0和1。 动态RAM需要进行刷新操作 . 某台计算机的内存储器设置有32位的地址线，16位并行数据输入/输出端，试计算它的最大存储量是多少？3. 试用4片4K×4位的RAM接成16K×4位的存储器。 4. 试用2片2K×8位的ROM接成2K×16位的ROM。 5. 试将1K×4位的RAM接成4K×8位的存储器。 6. 用ROM产生下列一组逻辑函数，写出ROM中应存入的数据表。 解： F0 = m0+m2+m4+m5+m6+m10+m11 F1= m5+m6+m7+m9+m13+m15 F2=m5+m10+m13 F3=m1+m2+m3+m5+m7+m10 7. 用ROM设计一个代码转换电路，它可以将输入的4位二进制代码转换为相对应的余3代码。 解：输入与输出真值表如下：A3~A0是输入的二进制码，D0~D3是输出相应的余3码 输入 　 输出 A3 A2 A1 A0 W D3 D2 D1 D0 0 0 0 0 W0 0 0 1 1 0 0 0 1 W1 0 1 0 0 0 0 1 0 W2 0 1 0 1 0 0 1 1 W3 0 1 1 0 0 1 0 0 W4 0 1 1 1 0 1 0 1 W5 1 0 0 0 0 1 1 0 W6 1 0 0 1 0 1 1 1 W7 1 0 1 0 1 0 0 0 W8 1 0 1 1 1 0 0 1 W9 1 1 0 0 ROM转换电路图如下： 8. 用EPROM设计一个代码转换电路，它可以将8421BCD码转换成2421BCD码。 解：输入与输出真值表如下：A3~A0是输入的8421BCD码，D0~D3是输出相应的2421BCD码 输入 　 输出 A3 A2 A1 A0 W D3 D2 D1 D0 0 0 0 0 W0 0 0 0 0 0 0 0 1 W1 0 0 0 1 0 0 1 0 W2 0 0 1 0 0 0 1 1 W3 0 0 1 1 0 1 0 0 W4 0 1 0 0 0 1 0 1 W5 1 0 1 1 0 1 1 0 W6 1 1 0 0 0 1 1 1 W7 1 1 0 1 1 0 0 0 W8 1 1 1 0 1 0 0 1 W9 1 1 1 1 ROM转换电路图如下： 9. 用PROM设计一个１ 　 输出 加数A 被加数B 低位进位C 本位和 D 高位进位E 0 0 0 W0 0 0 0 0 1 W1 1 0 0 1 0 W2 1 0 0 1 1 W3 0 1 1 0 0 W4 1 0 1 0 1 W5 0 1 1 1 0 W6 0 1 1 1 1 W7 1 1 阵列图 10. 用PROM设计一个代码转换电路，它可以将输入的4位格雷码转换为对应的二进制代码。 解：