第二章 半导体中杂质和缺陷能级分析.pptVIP

LOGO LOGO 第二章 半导体中杂质 和缺陷能级 1、硅、锗中晶体中的杂质能级 2、缺陷、位错能级 教学目标、教学重点与难点 教学目标 教学重点难点 半导体中的杂质和缺陷能级的原理及作用 杂质与缺陷的作用，对半导体性质的影响； 深能级杂质。 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 1、硅、锗中晶体中的杂质能级 2、缺陷、位错能级 硅、锗中晶体中的杂质能级 替位式杂质间隙式杂质 B 替位式杂质 A 间隙式杂质 施主杂质、施主能级 掺入施主杂质磷 P 硅、锗中晶体中的杂质能级 如何用能带理论解释施主杂质？ 硅、锗中晶体中的杂质能级 杂质能级 硅、锗中晶体中的杂质能级 施?主?电?离?能：△ED = EC- ED? 硅、锗中晶体中的杂质能级 Si、Ge中Ⅴ族杂质的电离能△ED（eV） 晶体 杂 质 电 离 能△ED 禁带宽度Eg P As Sb Si 0.044 0.049 0.039 1.12 Ge 0.0126 0.0127 0.0096 0.67 硅、锗中晶体中的杂质能级 掺入受主杂质硼（B） 硅、锗中晶体中的杂质能级 如何用能带理论解释受主杂质？ 硅、锗中晶体中的杂质能级 硅、锗中晶体中的杂质能级 浅能级杂质 = 杂质离子 + 束缚电子（空穴） 硅、锗中晶体中的杂质能级 特点： 施主电离能 △ED《 Eg 受主电离能 △EA《 Eg —即所谓的浅能级杂质 硅、锗中晶体中的杂质能级 杂质的补偿：既掺有施主杂质又掺有受主杂质 杂质补偿作用分为三种情况考虑： （A） NDNA时 （B） NAND时 （C） ND≌NA时  硅、锗中晶体中的杂质能级 （A）NDNA时 → n型半导体 因 EA 在 ED 之下， ED上的束缚电子首先填充EA上的空位，即施主与受主先相互“抵消”，剩余的束缚电子再电离到导带上。 所以：有效的施主浓度 ND*=ND-NA 硅、锗中晶体中的杂质能级 （B）NAND时 → P型半导体 因 EA 在 ED 之下， ED上的束缚电子首先填充EA上的空位，即施主与受主先相互“抵消”，剩余的束缚空穴再电离到价带上。 所以：有效的施主浓度 NA*=NA-ND 硅、锗中晶体中的杂质能级 （C） NA≌ND时 杂质的高度补偿 本征激发的导带电子 本征激发的价带空穴 Ev Ec ED EA 硅、锗中晶体中的杂质能级 （1）浅能级杂质 △ED、△EA远小于Eg （2）深能级杂质 △ED、△EA和Eg相当 硅、锗中晶体中的杂质能级 例1：Au（Ⅰ族）在Si中 硅、锗中晶体中的杂质能级 例2：Au（Ⅰ族）在Ge中 Au在Ge中共有五种可能的状态： （1）Au+（2）Au0 （3）Au- （4）Au2-（5）Au3-。 硅、锗中晶体中的杂质能级 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 硅、锗中晶体中的杂质能级 缺陷、位错能级 缺陷、位错能级 缺陷对材料性能有重要的影响 理想晶体：质点严格按照空间点阵排列 实际晶体：存在各种各样的结构不完整性 形成原因：1、热缺陷（晶格位置缺陷) 2、杂质缺陷(组成缺陷 ） 缺陷、位错能级 （1）弗伦克尔缺陷（Frenkel） 原子进入晶格的间隙位置，空位和间隙原子同时出 现，晶体体积不发生变化，晶体不会因为出现空位而产 生密度变化。 1、热缺陷（晶格位置缺陷) 特点：空位与间隙粒子成对出现，数量相等，晶体体积不发生变化。 缺陷、位错能级 （2）肖特基缺陷（Schottky） 表面层原子获得较大能量，离开原来格点位跑到表面外新的格点位，原来位置形成空位这样晶格深处的原子就依次填入，结果表面上的