应科院-大学物理磁阻效应实验new.pptVIP

物理学实验教学示范中心 电磁学实验 物理学实验教学示范中心 电磁学实验 磁阻效应实验 大学物理实验 实验目的 了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法. 测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系. 实验原理 一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B变化的规律称为磁阻效应。应用这种效应做成的传感器称为磁阻元件。 实验原理 图1 霍尔效应 当导体或半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转,在两端产生积聚电荷并产生霍耳电场。 实验原理 在霍耳电场和外加磁场的共同作用下，沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，电阻增大，也就是由于磁场的存在,增加了电阻,此现象称为磁阻效应。 UR IS -e FB FE ++++++ ------ B a b 图2 磁阻效应 如果将图2中a端和b端短 路,磁阻效应更明显。 实验原理 通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用Δρ/ρ(0)表示。其中ρ(0)为零磁场时的电阻率，设磁电阻电阻值在磁感应强度为B的磁场的电阻率为ρ(B)，则 Δρ=ρ(B)-ρ(0) 由于磁阻传感器电阻的相对变化率ΔR/R(0)正比于Δρ/ρ(0)，因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量ΔR/R(0)来表示磁阻效应的大小. ΔR=R(B)-R(0) 图2 磁阻效应曲线 实验原理 一般情