高温高压触媒法金刚石生长的计算与模拟讲稿.pptVIP

高温高压触媒法金刚石生长的计算与模拟 报告人：宋冬冬 导 师：栗正新 目录 一、选题背景及现实意义 二、国内外研究的现状与进展 三、课题的研究内容及方法手段 四、课题创新点 五、论文进度安排 六、参考文献 一、选题背景及现实意义 材料设计是指通过理论与计算预测新材料的组分、结构与性能。 [1]材料设计计算机模拟直接从理论出发，根据所需要的材料性质，通过计算机软件设计出符合要求的材料结构，然后通过计算机的模拟计算获得材料的性质，检验结构是否合适，从而避免了传统设计中的许多缺点，另外随着计算机运算能力的提高、理论方法的改进、新模型的建立，材料设计研究模式将转变为“理论一计算机模拟一生产”，这将大大提高材料设计的科技水平．节省大量实验所需的人力、物力，同时极大地提高了新材料设计的准确性[2] ，料设计计算机模拟已成为材料科学研究的前沿热点。 本课题采用晶体动力学方程与Monte Carlo方法结合的手段对高温高压触媒法金刚石晶体生长进行计算与模拟,节省大量实验所需的人力、物力，财力，同时极大地提高了金刚石合成的科技水平，对超硬行业意义重大。 二、国内外研究的现状与进展 1.材料设计与模拟的现状与进展 2.晶体生长的计算与模拟现状与进展 3.金刚石晶体生长的计算与模拟现状与进展 1.材料设计与模拟的现状与进展 原子模拟方面，一个重要成果是将模拟与实验结合以拓展两者的能力。典型例子是如何将一些原子尺度的结构与HRTEM 图象[3]进行比较，以便更详尽地理解晶界结构。另一个原子模拟的成功应用是对单个晶体缺陷性质的研究，例如位错、晶粒间界。 2.晶体生长的计算和模拟现状与进展 假设晶体在自由体系中生长，微观情况下其晶面生长速率各不相同，晶体各晶面生长速率的差异就决定晶体的形貌或形状，生长速率慢的晶面容易成为保留面。通过计算各晶面的生长速率，可建立起描述晶体形状的模型，目前常用的有BFIDH法、PBC(周期性键链)理论与叠和能法以及LSING模型[4] BFDH法 BFDH法认为晶面生长速率反比于晶面间距，可用晶体内部结构参数直接求出晶面间距。BFDH法仅从晶体结构出发来分析晶体的形态，没有涉及原子(分子)之间的键链性质和生长时的物理化学条件的影响。尽管对一些晶体的形貌分析和试验结果一致，但是对于很多溶液生长的晶体形貌的分析往往与试验事实不符,但该方法简便易行。 PBC(周期性键链)理论 PBC理论既考虑了晶体结构的因素，又考虑了原子与原子之间的键链性质。将晶体在结晶学方向上分成若干薄片层，薄层叠合到晶体晶面上要释放出能量，称为叠合能。通过计算分子与分子之间的相互作用能，计算出叠和能，而各个晶面的生长速率大小与叠和能成反比，进而得到晶体的形貌。这种方法又称为叠和能法[5]。应用PBC理论预测晶体的形貌在不少情况下与试验事实基本相符，但在分析晶体形貌时仍然存在缺陷，例如该理论没有考虑晶体生长时的物理化学条件(如温度、压力和溶剂等)变化对晶体形貌的影响。 LSING模型 此模型认为存在一个临界温度，晶面生长时如达到临界温度，将从光滑表面规则的层状生长过渡到无规则的粗糙生长。临界温度可以通过计算平均键能得到，假设生长速率与临界温度呈反比，可以得到晶体的形貌。 Kurodalle等在考虑Berg效应的基础上研究了晶体尺寸和过饱和度对结晶方向的影响[6]。当晶体尺寸一定时，随溶质的过饱和度的增大，晶体由稳定的多面体晶和漏斗形晶向不稳定的界面变化；当过饱和度一定时，晶体晶面的凹陷现象随晶体尺寸的增大而明显；而当晶体尺寸L10cm时，由于晶体界面溶质浓度不均匀性的消失，晶体界面保持稳定形态[7]。 以Anderson、Srolovit等人[8-9]为首的美国EXXON研究组首先提出了MC模拟晶粒长大的二维算法,其主要内容是:将所选定的二维平面区域离散为若干微小的正多边形单元 ,对于每个单元,从Q(Q1)个整数中随机选取一个作为其微观取向,相邻相同取向的小单元构成一个晶粒,相邻不同取向的单元之间形成晶界。晶界迁移的驱动力为晶界能的减少,晶界能由选定的单元与其若干最相邻的单元的微观取向组合来定义,可用哈密顿函数描述。 为了消除人为的晶内形核现象,提高晶粒长大指数并减少计算机模拟间,Radhakrishnan等人[10]提出了一种改进的MC算法,该算法认为:在单元再定向时,仅计算该单元周围邻近单元的取向值。晶粒重新取向概率p为:当ΔE≤0时,p=1;当ΔE0时,p=0。同时Radhakrishnan等人[6-7]也建议了Q的选取范围。若Q值较小,易出现“晶粒粗化”的现象;若Q值较大,相对来说也会增加计算