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姓名：孙铭斌 班级：JS1245 学号:201231907011专业：集成电路工程 时间：2013年5月19日硅的氧化及二氧化硅硅放在空气中会氧化，在其表面生成SiO?膜，这种膜厚度一般是30～50nm，是空气中氧和硅进行反应的结果。进行高温加热时可以得到更厚的SiO?膜，这种硅氧化膜与水晶或石英相同。它作为电绝缘材料具有最高的电阻率(～1018Ωcm)，而热膨胀系数又小到5～7×10-7了，以及可利用压电效应作稳定的振荡子等，因而一般说来其应用范围是广泛的。1二氧化硅薄膜的应用SiO?薄膜在诸多领域得到了很好的应用，如用于电子器件和集成器件、光学薄膜器件、传感器等相关器件中。利用纳米二氧化硅的多孔性质可应用于过滤薄膜、薄膜反应和相关的吸收剂以及分离技术、分子工程和生物工程等，从而在光催化、微电子和透明绝热等领域具有很好的发展前景。均匀多孔，孔径分布介于5～50 nm的二氧化硅薄膜的制备及性能表征已成为材料界研究的热点之一。1.1　微电子领域在微电子工艺中，SiO?薄膜因其优越的电绝缘性和工艺的可行性而被广泛采用。在半导体器件中，利用SiO?禁带宽度可变的特性，可作为非晶硅太阳电池的薄膜光吸收层，以提高光吸收效率；还可作为金属-氮化物-氧化物-半导体(MNSO)存储器件中的电荷存储层，集成电路中CMOS器件和SiGe MOS器件以及薄膜晶体管(TFT)中的栅介质层等。SiO?对杂质的扩散起到掩蔽作用。在集成电路制造中，几种常见的杂质如硼、磷、砷等在SiO?膜中的扩散要比它们在硅中的扩散慢很多。因此，在制作半导体器件的各个区时，最常用的方法是首先在硅圆片表面生长一层SiO?膜，经过光刻、显影后，再刻蚀掉需掺杂区域表面的氧化膜，从而形成掺杂窗口，最终通过窗口选择性地将杂质注入相应的区域中。随着大规模集成电路器件集成度的提高，多层布线技术变得愈加重要，如逻辑器件的中间介质层将增加到4～5层，这就要求减小介质层带来的寄生电容。对新型低介电常数介质材料的要求是:在电性能方面具有低损耗和低耗电；在机械性能方面具有高附着力和高硬度；在化学性能方面要求耐腐蚀和低吸水性；在热性能方面有高稳定性和低收缩性。目前普遍采用的制备电容介质层的SiO?，其介电常数约为4.0，并具有良好的机械性能。如用于硅大功率双极晶体管管芯平面和台面钝化，提高或保持了管芯的击穿电压，并提高了晶体管的稳定性。这种技术，完全达到了保护钝化器件的目的，使得器件的性能稳定、可靠，减少了外界对芯片沾污、干扰，提高了器件的可靠性能。1.2　光学领域20世纪80年代末期，Si基SiO?光波导无源和有源器件的研究取得了长足的发展，使这类器件不仅具有优良的传导特性，还将具备光放大、发光和电光调制等基本功能，在光学集成和光电集成器件方面很有应用前景，可作为波导膜、减反膜和增透膜。随着光通信及集成光学研究的飞速发展，玻璃薄膜光波导被广泛应用于光无源器件及集成光路中。制备性能良好的用作光波导的薄膜显得至关重要。集成光路中光波导的一般要求:单模传输、低传输损耗、同光纤耦合效率高等。波导损耗来源主要分为材料吸收、基片损耗、散射损耗三部分。通过选用表面粗糙度高、平整的光学用玻璃片或预先溅射足够厚的SiO?薄膜的普通玻璃基片，使波导模瞬间场分布远离粗糙表面，以减少基底损耗。激光器用减反膜的研究也取得了很大的进展。中国工程物理研究院与化学所用溶胶凝胶法成功地研制出紫外激光SiO?减反膜。结果表明，浸入涂膜法制备的多孔SiO?薄膜比早期的真空蒸发和旋转涂膜法制备的SiO?薄膜有更好的减反射效果。在波长350 nm处的透过率达到98%以上，紫外区的最高透过率达到99%以上。该SiO?薄膜有望用于惯性约束聚变(ICF)和X光激光研究的透光元件的减反射膜。目前在溶胶凝胶工艺制备保护膜、增透膜[30]方面也取得了一些进展。此法制备的SiO?光学薄膜在惯性约束聚变的激光装置中已成为一种重要的手段，广泛地应用于增透光学元件上，如空间滤波器、窗口、靶室窗口或打靶透镜。在谐波转换元件KDP晶体上用溶胶工艺镀制保护、增透膜，能改善KDP晶体的工作条件，提高谐波光束的质量与可聚焦功率。Thomas用溶胶-凝胶工艺制备的增透膜和保护膜在美国洛仑兹·利弗莫尔国家实验室已使用多年。1.3　其　他非晶态SiO?薄膜由于具有十分优良的负电荷充电和存储能力，在20世纪80年代初、中期成为无机驻极体的代表性材料，与已经得到广泛应用的传统有机高分子聚合物驻极体相比，以单晶硅为基片的SiO?薄膜驻极体无疑具有不可比拟的优势。除了电荷储存寿命长(可达200～500年)、抗高温恶劣环境能力强(可在近200℃温度区内工作)外，还可以和现代硅半导体工艺相结合，实现微型化甚至集成电路化。在驻极体电声器件与传感器件、驻极体太阳能电池板、驻极体马达与发