逻辑运算与集成逻辑门电路讲述.ppt

高电平 噪声容限VNH 噪声容限 低电平 噪声容限VNL =2.4-2.0=0.4V =0.8-0.4=0.4V 74系列TTL门电路的噪声容限： 74HC系列CMOS门电路的噪声容限： =4.4-3.15=1.25V =1.35-0.33=1.02V 扇入数与扇出数（带负载能力） 门电路的扇入数取决于它的输入端的个数，例如一个3输入端的与非门，其扇入数NI=3。 门电路的扇出数是指其在正常工作情况下，所能带同类门电路的最大数目(反映了门电路的带负载能力)。 1) 带拉电流负载 2) 带灌电流负载 74HCT系列与TTL兼容，如果CMOS所带负载为74LS系列的TTL门电路，此时IOH=IOL==4 mA，而IIH=0.02 mA，IIL=0.4 mA，根据上式可计算出高电平输出时的扇出数： 低电平输出时的扇出数： 根据上述两种情况的计算，取数值小的为扇出数，即CMOS最多可接74LS系列TTL门电路的输入端10个。 传输延迟时间 传输延迟时间是表征门电路开关速度的参数，它说明门电路在输入脉冲（波形）的作用下，其输出波形相对于输入波形延迟了多长时间。 导通延迟时间tPHL——从输入波形上升沿的中点到输出波形下降沿的中点所经历的时间。 一般TTL与非门传输延迟时间tpd的值为几纳秒～十几个纳秒。 截止延迟时间tPLH——从输入波形下降沿的中点到输出波形上升沿的中点所经历的时间。 与非门的平均传输延迟时间tpd： 各种系列TTL门电路（以74××00）的传输延迟时间 参数名称和符号 系 列 74 74S 74LS 74AS 74ALS 74F 平均传输延迟时间tpd/ns 9 3 9.5 1.7 4 3 各种系列CMOS门电路（以74××04）的传输延迟时间 参数名称和符号 74HC04 74HCT04 74AHC04 74AHCT04 74LVC04 74ALVC04 平均传输延迟时间tpd/ns 9 14 5.3 5.5 3.8 2 传输延迟时间 功耗 CMOS电路的动态功耗与转换频率和电源电压的平方成正比。当工作频率比较高时，CMOS门的功耗可能会超过TTL电路。在设计CMOS 电路时，尽量选用低电源电压器件，例如3.3V供电电源74LVC系列或1.8V供电电源74AUC系列，以降低功率损耗。 功耗-延时积 空载功耗 输出端不接负载时，门电路消耗的功率叫空载功耗。 动态功耗 门电路的输出状态由UOH变为UOL(或相反)时， 门电路消耗的功率。 静态功耗 门电路的输出状态不变时，门电路消耗的功率。 静态功耗又分为截止功耗和导通功耗。 截止功耗POFF 门输出高电平时消耗的功率； 导通功耗PON 门输出低电平时消耗的功率。导通功耗大于截止功耗。 作为门电路的功耗指标通常是指空载导通功耗。TTL门的功耗范围为1~22 mW。 各种系列TTL门电路的主要性能参数 参数名称和符号 系 列 74 74S 74LS 74AS 74ALS 74F 传输延迟时间tpd/ns 9 3 9.5 1.7 4 3 功耗/mW 10 19 2 8 1.2 4 延迟-功耗积DP/pJ 90 57 19 13.6 4.8 12 各种系列CMOS门电路（74××00）的主要性能参数 参数名称和符号 系 列 4000B 74HC 74HCT BiMOS 传输延迟时间tpd/ns(CL=15pF) 75 10 13 2.9 功耗/mW 1(1MHz) 1.5(1MHz) 1(1MHz) 0.0003~7.5 延迟-功耗积DP/pJ 75 10 13 0.0087~22 逻辑门电路使用中的几个实际问题 CMOS集成电路的主要特点和使用注意事项 1. CMOS集成电路的主要特点 1）功耗极低。CMOS集成电路静态功耗非常小，例如在VDD=5V时，门电路的功耗只有几个μW，即使是中规模集成电路，其功耗也不会超过100μW。 2）电源电压范围宽。例如CC4000系列，VDD=3～18V。 3）抗干扰能力强。输入端噪声容限典型值可达到0.45VDD。 4）逻辑摆幅大(输出高低电平的差值)。VOL=0V，VOH≈VDD。 5）输入阻抗极高。输入电阻可达100MΩ。 6）扇出能力强。在低频时，CMOS电路几乎不考虑扇出能力问题；高频工作时，扇出数与工作频率有关。 7）集成度很高，温度稳定性好。由于CMOS电路功耗极低，内部发热量很少，所以集成度可以做得非常高。CMOS电路的结构是互补对称的，当外界温度变化时，有些参数可以互相补偿，因此，其特性的温度稳定性好，在很宽的温度范围内都能正常工作。例如陶瓷金属封装的电路，工作温度范围为-55度C～+125度；塑料封装的电路，工作温度范围是-