第一章：绪论解析.ppt

如今集成电路芯片从小规模集成电路（SSI）发展到超大规模集成电路（ ULSI ）。分立器件和SSI芯片的边长平均约为0.1英寸；ULSI芯片每边长为0.5英寸或更大。 集成电路是在晶圆上制造方形或长方形的芯片，导致在晶圆的边缘处剩余下一些不可使用的区域，当芯片的尺寸增大时这些不可使用的区域也随之增大。 为弥补这种损失，半导体业界都愿采用更大尺寸的晶圆。随着微电子技术的发展，6英寸以下直径的晶圆逐渐被淘汰，如今由200毫米和300毫米（8英寸和12英寸）的晶圆所取代。 注：1mils=1/1000英寸，是金属线直径的一种度 相同的直径 芯片尺寸 以下图仅供参考，具体数请记数字 图1-9 晶圆边缘处剩余部分比较图 2. 集成电路(Integrated Circuit, IC)： 集成电路是指半导体晶圆经过平面工艺加工成元件、器件和互连线，并集成在基片表面或内部的微小型化电路或系统。通常所说的“芯片”是指封装好的集成电路。 一般来说，“芯片”成本最能影响电子产品的整机成本，因此，也有人说芯片是电子工业的“粮食”。 集成规摸 英文缩写 晶体管数/个 功能 小规模集成电路 SSI 1~100 单电路功能 中规模集成电路 MSI 100~400 功能网络 大规模集成电路 LSI 400~4500 计算器或数字手表 超大规模集成电路 VLSI 4500~30万 微处理器 特大规模集成电路 ULSI 超过30万 单芯片、小型计算机 巨大规模集成电路 GSI 1亿以上 超级计算机 表1-6 集成电路按集成度的分类 3. 光刻(Lithography) 光刻是指通过光学技术把掩模板图形转移到在晶圆上，是IC生产的主要工艺手段。 4. 前道工序 前道工序是IC芯片制造过程中, 硅锭切片、晶圆光刻、外延、淀积等工艺(即所谓流片)被称为前工序，这是IC芯片制造的最要害技术。 5. 后道工序 后道工序是晶圆流片后，芯片切割（即所谓划片）、封装、测试等工序。 6. 线宽(Line width) 线宽是指IC生产工艺可达到最小导线宽度，是IC工艺先进水平的主要指标，线宽越小，集成度就越高，即在同一面积上就集成更多电路单元。 线宽的早期标准有4微米（4000纳米）、 1微米（1000纳米）、 0.6微米（600纳米）等；后来使用的主要有350纳米、250纳米、150纳米、130纳米、 90纳米等等。 2001年投入使用了130纳米线宽生产工艺，2003年投入使用90纳米线宽生产工艺，2005年投入使用65纳米线宽生产工艺， 2007年开始35纳米线宽生产工艺也投入使用。2008年有22纳米线宽最新工艺研究的报道。 表1-10 中国12英寸 (300mm)晶圆厂一览表 公司名称 工艺 Fab投资额 设计产能（片/月） 投产时间 中芯国际（北京）SMIC 90nm Fab4 20000 2004/07 中芯国际（上海）SMIC 90nm~45nm Fab8 10000 2007/12 中芯国际 (武汉）SMIC 90nm Fab12 20000 2008/09 海力士-恒忆（无锡） 70nm Fab2 100000 2006/10 Intel(大连） 90nm~65nm Fab68 20000 在建 中芯国际（北京）SMIC 90nm Fab5 N/A 拟建 中芯国际（深圳）SMIC 45nm N/A N/A 拟建 华虹集团（上海） 90nm~45nm Fab22 N/A 拟建 中芯国际（北京）SMIC BEOL copper processes Fab6C N/A N/A 表1-11 中国8英寸 (200mm)晶圆厂一览表 公司名称 工艺 Fab投资额 设计产能（片/月） 投产时间 华虹NEC(上海） 0.13~0.35μm Fab1 53000 1999/02 华虹NEC(上海） 0.18~0.2μm Fab2 30000 2007/09 中芯国际（上海）SMIC 0.11~0.35μm Fab1 45000 2001/09 中芯国际（上海）SMIC 0.13~0.35μm Fab2 45000 2002/07 中芯国际（上海）SMIC 0.35μm~90nm Fab3B 10000 2001/09 中芯国际（上海）SMIC 太阳能晶片 Fab10 N/A 2006/02 中芯国际（上海）SMIC CIS Fab9 15000 2005.12 中芯国际（天津）SMIC 0.35~0.15μm Fab7 30000 2004/01 中芯国际（成都）SMIC 0.18~0.35μm Fab11 20000 2007/03 宏力半导体（上海） 0.15~0.25