教材习题电子版..docVIP

1.1选择题 1.在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体，加入( )元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 D.二价 2.在杂质半导体中，多子的浓度主要取决于（ ），而少子的浓度主要取决于（ ） A 温度 B 掺杂工艺 C 杂质浓度 D晶体缺陷 3.半导体PN结在外加反向电压时对其电流的形成无影响的是（ ）。 A．多子 B．少子 C．温度 D．漂移运动 4.PN结上加正向电压，易于进行（ ）运动 A．多子漂移 B．多子扩散 C．少子漂移 D．少子扩散 5.PN结加正向电压，其内电场会（ ） A．被削弱 B．被加强 C．没变化 D．可能削弱，也可能加 6.本征半导体中，电子浓度与空穴浓度关系为（ ） A．大于 B．小于 C．相等 D．可能大，也可能小，与材料有关 1.2 判断题 1.半导体受本征激发时，空穴和自由电子是成对产生的。（ ） 2.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 （ ） 3.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） 4.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （ ） 5.由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时就有电流流过。 （ ） 6.PN结方程可以描述PN结正反向特性，也可以描述PN结反向击穿特性（ ） 7.漂移电流是由多子在内电场作用下形成的。（ ） 1.3 填空题 1.PN结少数载流子的浓度取决于 。 2.PN结外加电压与电流数学关系为 。 3.漂移电流是 电流，它由 载流子形成，其大小 有关，而与外加电压 。 4.据击穿机理不同，PN结的反向击穿分为 和 ，据击穿是否是破坏性的分 为 和 。 5.P型半导体是在本征半导体中加入 价元素形成，多子为 。 6.N型半导体中自由电子是 （多子，少子），因此N型半导体带 （正电，负电，电中性）。 7.二极管的反向电阻比正向电阻＿＿＿(大，小)得多。因此PN结的最大特性是＿＿＿＿＿ 8.当PN结外加正向电压时，扩散电流＿＿漂移电流，耗尽层＿＿＿ 9.稳压管工作在二极管特性曲线的＿＿＿＿＿区域 1.4 什么是模拟信号？什么是数字信号？二者有什么异同与特点？ 1.5 电子信息系统基本组成部分一般有哪些？有什么特点。 1.6 分析PN结伏安特性。 1.7 PN结电容特性有哪些特点？  2.1选择题 1. 稳压二极管的稳压区是工作在 。A. 正向导通 B. 反向截止 C. 反向击穿 2. 晶体三极管的集电极电流IC略大于ICM，则该晶体三极管 。 A. PN结发热烧坏 B. β下降，失去放大能力 C. 烧断引线 3. 共射放大器电路发生饱和失真，若要使电路输出电压uo的波形不产生失真，则 。 A. RC应增大 B. RB应增大 C. UCC应减小 D. Ui应增大 4. 在共射放大射极偏置电路中，如果射极电阻并联旁路电容CE，若除去CE，该电路的放大倍数Au ，输入电阻 ，输出电阻Ro 。 A. 增大 B. 减小 C. 不变(或基本不变) D. 变化不定 5. 既能放大电压，也能放大电流的是( )组态放大电路；可以放大电压，但不能放大电流的是 组态放大电路；只能放大电流，不能放大电压是 组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不定 2.2填空题 1．二极管的正向电流是由 载流子的 运动形成的；反向电流是由 载流子的 运动形成的。 2．双极型晶体三极管从结构上可以分成 和 两种类型，它们工作时有 和 两种载流子参与导电，晶体三极管属于 控制型器件。 3．晶体三极管的输出特性曲线有三个工作区，分别是 、 、 。 4．温度升高时，晶体三极管的共射输入特性曲线将 ，输出特性