第三节金属晶体教学课件解析.ppt

练习 金属晶体的形成是因为晶体中存在 （ ）A.金属离子间的相互作用B．金属原子间的相互作用 C.金属离子与自由电子间的相互作用 D.金属原子与自由电子间的相互作用 金属能导电的原因是 （ ）A.金属晶体中金属阳离子与自由电子间的相互作用较弱 B．金属晶体中的自由电子在外加电场作用下可发生定向移动 C．金属晶体中的金属阳离子在外加电场作用下可发生定向移动 D．金属晶体在外加电场作用下可失去电子 * * * * 金 属 晶 体 Ti 金属样品 一、金属共同的物理性质 容易导电、导热、有延展性、有金属光泽等。 金属为什么具有这些共同性质呢? 二、金属的结构 问题：构成金属的粒子有哪些？ 组成粒子： 金属阳离子和自由电子 金属离子和自由电子之间的较强作用—— 金属键 “有阳离子而无阴离子”是金属独有的特性。 作用力： 金属单质中不存在单个分子或原子。 金属晶体： 通过金属键作用形成的单质晶体 常温下，绝大多数金属单质和合金都是金属晶体，但汞除外，因汞在常温下呈液态。 金属晶体的熔沸点差别较大。 熔化时破坏的作用力：金属键 金属阳离子半径越小，所带电荷数越多，金属键越强，熔沸点越高，硬度越大。 金属键的成键微粒：金属阳离子和自由电子。存 在于金属单质和合金中。 金属键的特征：自由电子可以在整块金属中自由 移动，因此金属键没有方向性和饱和性。 金属键 金属键的本质：“电子气理论”(自由电子理论) 　　金属原子脱落来的价电子形成遍布整个晶体的“电子气”,被所有原子所共用，从而把所有的原子维系在一起。 小结：三种晶体类型与性质的比较 Au、Fe、Cu、钢铁等 Ar、S等 金刚石、二氧化硅、晶体硅、碳化硅 实例 导电性 硬度 熔沸点 物 理 性 质 构成微粒 作用力 概念 金属晶体 分子晶体 原子晶体 晶体类型 相邻原子之间以共价键相结合而成具有空间网状结构的晶体 共价键 原子 很大 很高 无（硅为半导体） 分子 分子间以范德华力相结合而成的晶体 范德华力 很低 很小 无 通过金属键形成的晶体 金属键 金属阳离子和自由电子 差别较大 差别较大 导体 C B 1、二维堆积 I 型 II 型 配位数为4 配位数为6 密置层 非密置层 1 2 3 4 1 2 3 4 5 6 二、金属晶体的原子堆积模型 （1）.简单立方堆积： 2、金属三维堆积 非最紧密堆积，空间利用率低（52%） 配位数是 个. 只有金属（Po）采取这种堆积方式 6 （2）钾型 ----体心立方堆积： 这种堆积晶胞是一个体心立方，每个晶胞每个晶胞含 个原子，空间利用率不高（68%），属于非密置层堆积，配位数为 ，许多金属（如Na、K、Fe等）采取这种堆积方式。 2 8 1 2 3 4 5 6 第二层对第一层来讲最紧密的堆积方式是将球对准 1，3，5 位。 ( 或对准 2，4，6 位，其情形是一样的 ) 1 2 3 4 5 6 A B ， 关键是第三层，对第一、二层来说，第三层可以有两种最紧密的堆积方式。 思考：密置层的堆积方式有哪些？ 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 镁型 1 2 3 4 5 6 第三层的另一种排列方式，是将球对准第一层每一个球，于是每两层形成一个周期，即 AB AB 堆积方式。 下图是镁型紧密堆积的前视图 A B A B A 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 1 2 3 4 5 6 铜型 第三层的另一种排列方式，是将球对准第一层的 2，4，6 位，不同于 AB 两层的位置，这是 C 层。 4 1 2 3 5 6 1 2 3 4 5 6 此种立方紧密堆积的前视图 A B C A A B C 第四层再排 A，于是形成 ABC ABC 三层一个周期。 得到面心立方堆积。 配位数 12 。 ( 同层 6， 上下层各 3 ) 下图是铜型型紧密堆积的前视图 A C B A C B A 镁型 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 这种堆积晶胞空间利用率高（74%），属于最密置层堆集，配位数为 ，许多金属（如Mg、Zn、Ti等）采取这种堆积方式。 12 *