第二章薄膜的物理气相沉积-蒸发法解析.pptVIP

真空蒸发的原理 在真空蒸发技术中，人们只需要产生一个真空环境。在真空环境下，给待蒸发物提供足够的热量以获得蒸发所必需的蒸气压。在适当的温度下，蒸发粒子在基片上凝结，这样即可实现真空蒸发薄膜沉积。 大量材料皆可以在真空中蒸发，最终在基片上凝结以形成薄膜。真空蒸发沉积过程由三个步骤组成： 真空蒸发的特点 1.真空蒸发沉积薄膜的优点：简单便利、操作容易、成膜速度快、效率高等，是薄膜制备中最为广泛使用的技术。 2.真空蒸发技术的缺点：不容易获得结晶结构的薄膜，形成的薄膜与基片结合较差，工艺重复性不好。 实际合金的蒸气压之比更加偏离合金中的原始组分之比。 PA = ?A ? APA(0) ；PB = ?B ? BPB(0) ； －?A， ?B 分别为元素A、B在合金中的活度系数 合金中A、B组元的蒸发速率之比为 对于初始成分确定的蒸发源，易于蒸发的组元优先蒸发，造成该组元的不断贫发，造成该组元的蒸发速率下降。 实际采取的措施：采用双源或多源，分别加热至不同温度来控制每一组元的蒸发速率。 多组分薄膜的蒸发方法 利用蒸发法制备多组分薄膜的方法主要有三种方法 （1）单源蒸发法：先按薄膜组分比例的要求制成合金靶，然后 对合金靶进行蒸发、沉积形成固态薄膜。基本要求是合金靶中各组分材料的蒸汽压比较接近。 （2）多源同时蒸发法：利用多个坩埚，在每个坩埚中放