无源逆变与变频器实验指导..doc

无源逆变与变频器实验指导 实验一 IGBT的简单测试 一、实验目的 ?1．了解IGBT功率模块类型及主要测试参数。 ?2．掌握IGBT的简易测量方法。 二、实验设备 IGBT模块 1个 万用表 1只 三、实验线路及原理 ?１．IGBT功率模块的几种电路结构 ?（1）PIM结构 ??? 这是一种小功率变频器主要采用的结构，结构特点是三相整流桥，制动单元，温度检测，三相IGBT逆变桥全部集成在一个模块上，以富士半导体公司的7mbr25sa120为例，图4-1为模块内部电路结构，7个驱动单元采用光耦隔离驱动。 图4-1 模块内部电路结构 ? (2) 六或七单元IGBT结构 ??? 这种模块主要用于中小功率变频器，结构特点是三相整流桥，制动单元为外置模块，IGBT模块为六或七单元IGBT结构。以富士半导体公司的6mbi75ua-120为例，图4-2为模块内部电路结构，6个驱动单元采用光耦隔离驱动。 图4-2 六单元的IGBT模块内部电路结构 ? (3) 一或二单元IGBT结构 ??? 这种模块主要用于中大功率变频器，结构特点是三相整流桥，制动单元为外置模块，IGBT模块为一或二单元IGBT结构，变频器采用六或三个IGBT模块组成三相逆变桥。以富士半导体公司的6mbi75ua-120为例，图4-3为模块内部电路结构，2个驱动单元采用光耦隔离驱动。 图4-3 6mbi75ua-120模块内部电路结构 ? (4) IPM结构 这种模块主要用于中小功率变频器，结构特点是驱动单元内置，模块内部电路可以是以上的任何一种电路结构。以富士半导体公司的6mbp100ra-060为例，图4-4为模块内部电路结构，6个驱动单元内置，但需提供独立的驱动电源。 图4-4 6mbp100ra-060模块内部电路结构 ?2．IGBT功率模块的主要测试参数 Vces：g 、s短路，IGBT的反向击穿电压; Cies：IGBT的g 、s间电容; Frd：IGBT的反并联二极管; IGBT的控制导通与截止特性。 ?3．IGBT的主要参数测量方法 ? (1) 采用图示仪等仪器测量 ??? Vces，Cies，Frd可以很方便的测量，IGBT的控制导通与截止特性可以通过图示仪给出电压阶跃信号控制IGBT的控制极而方便测量。 ? (2) 采用500型指针万用表等简易测量 ??? Cies，Frd可以很方便的测量，Vces无法测量。IGBT的控制导通与截止特性可以采用如下办法：先将g,，s间短路，而后释放，以确保g,，s间无电荷，将500型指针万用表的量程打在“1k”电阻档，“红”表笔接IGBT的“e”极，“黑”表笔接IGBT的“c”极，此时表指针应无摆动，指示电阻值无穷大，再用手或其他导体将“c”极与“g”极短接后释放，指针表应有电阻值指示，且指示值应停住不动，以上过程能证明IGBT的开通能力基本正常；此时再将g,，s间短路，表指针应回位，指示电阻值无穷大，而后再释放g,，s间短路块，表指针应不动，仍然指示电阻值无穷大。以上过程能证明IGBT的关断能力基本正常。 4．IPM的主要参数测量方法 ??? 由于IPM内部含驱动单元，外部无法得到“g,”端子，因此，IPM必须在外加控制电源及控制信号后才能测Vces及IGBT的控制导通与截止特性；在无电源及控制信号时严禁在图示仪上测Vces，因为此时相当于内部IGBT的“g,，s”间开路，用高压测Vces极易损坏IGBT。 四、实验内容及步骤 ?1．估测IGBT的门极和源极间电容大小。 ?2．测量IGBT反向并联的二极管好坏。 ?3．判断IGBT的开通能力是否正常。 ?4．判断IGBT的判断能力是否正常。 五、实验注意事项 ??? 测量IGBT的导通与截止特性前务必将门极和源极短路，确保两管脚间无电荷。 ? 实验二 变频器面板操作及运行 一、实验目的 ?1．了解变频器的操作方法及显示特点。 ?2．了解并熟悉变频器的各种运行模式。 ?3．熟练掌握变频器运行方式的切换和参数的预置方法。 二、实验设备 森兰SB100系列变频器 1台 电机 1台 导线　　　　　　　　　　　　　　若干 三、实验内容及步骤 ?1．熟悉变频器的面板操作 ? 1）仔细阅读变频器的面板介绍，掌握在监视模式下显示Hz、A、V的方法，变频器的各种控制方式的设置方法、及运行命令之间的切换方法。 运行监视模式下，显示Hz、A、V的方法：该状态