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微电子工程学 第7章 微电子器件工艺实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 0.8μm 双层多晶双层金属CMOS双阱工艺流程实例 第7章 微电子器件工艺实例 7.2 微电子器件工艺流程 17 腐蚀SiO2 HF 1:10 去除所有SiO2 18 氧化 SiO2厚度30 nm 19 淀积Si3N4 Si3N4厚度150 nm 20 投影光刻局部氧化区 场区 21 等离子腐蚀Si3N4/用H2SO4+H2O2去胶 场区上剩余SiO2厚度≥10 nm 22 投影光刻保护环 P-阱区的周界 23 注硼/用H2SO4+H2O2去胶 E=60KeV，D=5*10E13（BF2） 24 局部氧化 场区上SiO2厚度500 nm 25 腐蚀SiO2（相当于刻有源区） 去除Si3N4上的氧化层 26 腐蚀Si3N4 H3PO4去除有源区上的Si3N4层 27 去除SiO2 HF 1:10去除有源区上的氧化层 28 预氧化 SiO2厚度30 nm （清洁有源区表面） 29 去除SiO2 HF 1:10去除有源区上的氧化层 场区上剩余SiO2厚度≥350 nm 30 栅氧化 SiO2厚度20 nm 31 投影光刻VTp调整区 ? 32 离子注入/H2SO4+H2O2去胶 E=40 KeV，D=(0.2~1.2)*10E12 （BF2） 33 投影光刻埋孔 ? 34 湿法化学腐蚀SiO2/H2SO4+H2O2去胶 HF 1:10 35 淀积poly1 Poly1厚度350nm 36 磷扩散 Poly1掺磷 RS=30~50Ω/□ 37 腐蚀磷硅玻璃 HF 1:10 38 投影光刻栅极(poly1) ? 39 等离子化学腐蚀poly1/H2SO4+H2O2去胶 有源区上剩余SiO2厚度≥10 nm 40 投影光刻N-LDD N型低掺杂漏延伸区 41 离子注入/ H2SO4+H2O2去胶 E=60 KeV，D=3*10E13（P） 42 退火+氧化 长SiO2厚度约10 nm 43 淀积SiO2 SiO2厚度200~300 nm 44 等离子腐蚀SiO2 有源区上剩余SiO2厚度20 nm （刻出栅的边沿） 45 SiO2致密化 长SiO2厚度约10 nm 46 投影光刻N+ N+_select (N_plus) 47 离子注入/等离子去胶 E=80 KeV，D=5*10E15（As） 48