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《半导体器件》 第1章 半导体特性 第2章 P-N结 讲授教师：马 颖 一、半导体的晶格结构、各向异性 晶体有哪5种常见的晶体结构，都有哪些典型的元素。 一、半导体的晶格结构、各向异性 金刚石结构和闪锌矿结构有什么区别（在结构、元素、化学键各方面描述）。 一、半导体的晶格结构、各向异性 掌握几种晶格结构单胞的空间比率计算。 每个单胞中的原子数n 每个原子的半径r 每个原子的体积V原子=4πr3/3 最大空间比率=n ×V原子/ V单胞 掌握硅、锗两种材料的原子数密度和质量密度的计算。 一、半导体的晶格结构、各向异性 什么是晶体的各向异性？表现在哪些方面？ 用什么来表示，这2者有何关系？ 一、半导体的晶格结构、各向异性 二、半导体的导电性 影响半导体材料导电性能的因素有哪些？ 能带中的几个基本概念：允带、禁带、空带、满带、半满带 半导体能带中的几个概念：价带、导带、导带底、价带顶、禁带宽度。 半导体能带中的几个概念：价带、导带、导带底、价带顶、禁带宽度。 简述空穴的概念。 杂质和缺陷对导电性能产生影响的机理是什么？ 写出常见杂质的种类并举例。 施主能级与受主能级的位置。 从能带角度分析为什么掺入施主或受主杂质后半导体的导电性能能大大加强。 什么是浅能级？ 什么是杂质的补偿作用？ τ很大程度上反映了晶格的完整性，是衡量材料质量的一个重要标志 ，故常被称作“结构灵敏”的参数。 材料的种类 杂质的含量（特别是深能级杂质） 缺陷的密度 表面状态 外部条件（外界气氛） 什么是直接复合？什么是间接复合？ 一、PN结及其能带图 PN结的形成。 一、PN结及其能带图 合金结和高表面浓度的浅扩散结一般可认为是突变结，而低表面浓度的深扩散结一般可认为是线性缓变结。 一、PN结及其能带图 二、平衡PN结 二、平衡PN结 三、PN结的直流特性 三、PN结的直流特性 三、PN结的直流特性 三、PN结的直流特性 四、PN结电容 四、PN结电容 四、PN结电容 正向偏压增大，载流子从扩散（扩散或势垒）区取出存入势垒区，中和了势垒区中一部分电离施主和电离受主，使势垒区电场减小（增大或减小），势垒区宽度减小（增大减小），势垒电容增大（增大或减小）。 正向偏压减小，势垒区电场增大，载流子从势垒区取出存入扩散区，使势垒区宽度增大，势垒电容减小。 反向偏压的绝对值增大，势垒区电场增大，载流子从势垒区取出存入扩散区，使势垒区宽度增大，势垒电容减小。 反向偏压的绝对值减小，载流子从扩散区取出存入势垒区，中和了势垒区中一部分电离施主和电离受主，使势垒区电场减小，势垒区宽度减小，势垒电容增大。 五、PN结击穿 五、PN结击穿 五、PN结击穿 五、PN结击穿 原材料杂质浓度ND 、扩散杂质的表面浓度NS、扩散结结深xj； 半导体层厚度； 结深。 五、载流子的运动 载流子的漂移运动和扩散运动是由什么引起的？ 漂移运动是半导体中的载流子在电场作用下的运动。 扩散运动是由粒子浓度不均匀所引起的运动。 欧姆定律的微分形式？ 半导体的电导率及其计算？ 电导率 N型 P型 本征半导体 n0=p0=ni 杂质半导体： 五、载流子的运动 半导体的总电流？ 扩散电流和漂移电流叠加在一起构成半导体的总电流。 电子电流密度 空穴电流密度 迁移率μ：反映载流子在电场作用下运动难易程度； 扩散系数D：反映存在浓度梯度时载流子运动的难易程度。 爱因斯坦关系式？ 反映了载流子迁移率和扩散系数之间的关系。 六、非平衡载流子 产生非平衡载流子的方法？ 非平衡载流子都是指多子还是少子？ 电注入，光注入 非平衡载流子都是指非平衡少数载流子 非平衡载流子的产生和复合过程。 如果对半导体施加外加作用，破坏了热平衡状态的条件，这就迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态。处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度将不再是n0和p0，可以比它们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子，有时也称过剩载流子。 产生非平衡载流子的外部作用撤除后，由于半导体的内部作用，使它由非平衡状态恢复到平衡状态，过剩载流子逐渐消失，这一过程称为非平衡载流子的复合。 六、非平衡载流子 什么是非平衡载流子的寿命？ 非平衡载流子的平均生存时间称为非平衡载流子的寿命，用τ表示。非平衡载流子的寿命通常指少数载流子的寿命。 当t=τ，则Δp(t)=(Δp)0/e 寿命标志着非平衡载流子浓度减小到原来数值的1/e所经历的时间。 锗比硅容易获得较高（高或低）的寿命 六、非平衡载流子 非平衡载流子寿命的检测方法？ ①直流光电导衰减法；②高频光电导衰减法； ③光磁电法；④扩散长度法；⑤双脉冲法；⑥漂移法。 影响非平衡载流子寿命的因素？ 六、非平衡载流子 ①直接复