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晶硅太陽能电池i层厚度优化的数值模拟

晶硅太阳能电池i层厚度优化的数值模拟.txt这是一个禁忌相继崩溃的时代,没人拦得着你,只有你自己拦着自己,你的禁忌越多成就就越少。自卑有多种档次,最高档次的自卑表现为吹嘘自己干什么都是天才。 本文由啊呀娃娃chen贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。 堡堕!Q丝二塑堑 CNIl一2034/T 实验技术与管理 Experimental Technology 第24卷第12期2007年12月 V01.24 No.12 Dee.2007 and Management 非晶硅太阳能电池i层厚度 优化的数值模拟 姚若河,郑佳华 (华南理工大学物理科学与技术学院,广东广州 510640) 摘要:应用AMPS一1D软件对非晶硅太阳能电池的-,一l,特性进行了模拟研究,重点模拟分析了i层厚度 对P—i-n结构非晶硅太阳能电池特性参数的影响。 关键词:太阳能电池;非晶硅;数值模拟 中图分类号:TP39 文献标识码:B 文章编号:1002-4956(2007)12-0067-02 Numerical simulation of i—layers thickness on a—Si:H P—i-n solar cell devices YAO Ruo—he,Zheng Jia—hua (School of Physics,South China University of Technology,Guangzhou 510640,China) Abstract:The AMPS一1 D(analysis of microelectronic and photonic characteristics structures)was used on to module the light J-V of a—Si:H P—i-n solar cell devices.The effects of the i-layers thickness the light J—V characteris— tics have been examined. Key words:solar cell;a—Si:H;numericM simulation 太阳能是一种清洁、无污染、取之不尽用之不 竭的自然能源,将太阳能转换为电能是大规模利用 太阳能的重要技术基础。半导体太阳能电池利用半 导体的光生伏特效应直接将太阳能转化为电能,技 术比较成熟。在硅系列电池中,由于非晶硅对阳光 的吸收系数高,活性层只需1¨m厚,材料的需求 量大大减少;沉积温度低,可直接沉积在玻璃、不 锈钢和塑料膜等廉价的衬底材料上;生产成本低, 具有单片电池面积大、适于工业化大规模生产等优 点而受到重视。 形成P—i-n结构。图1中,衬底为n型非晶硅,顶 层为P型的非晶SiC材料,中间缓冲层为本征非晶 硅,主要结构参数和模拟参数见表1。 图1 P·i-11结构非晶硅太阳能电池结构示意图 P-i·n结构非晶硅太阳能电池的模型参数 参数 P层 (a_SiC) i层 (a-si) 1.80 1.72 4.00 11.9 表1 1模型结构与模拟原理 1.1器件结构 典型的非晶硅太阳能电池结构如图1所示。非 晶硅中由于原子排列缺少结晶硅的规则性,缺陷 多,因此,要在P层与n层之间加入本征层i层, 收稿日期:2007—02—28 作者简介:姚若河(196l一),男,广东省揭阳市人。博士,教 授。从事半导体器件及物理的教学和科研工作. n层 (a_Si) 1.80 迁移率带隙/eV 光学带隙/eV 电子亲和能/eV 相对介电常数占 有效态密度Nc/(cm。3eV一) Nv/(cm一3eV一1) 1.96 1.90 3.92 11.9 1.72 4.00 11.9 2.5×1020 2.5×1020 2.5 X1020 2.5×1020 2.5×1020 2.5×1020 万   方数据 实验技术与管理 续表 参数 电子迁移率 p。/(cm2V一18—1) 空穴迁移率 /.z。/(cm2V一8—1) 价带尾态特征能量迁移 率ED/eV 导带尾态特征能量迁移 率E^/eV 掺杂浓度/cm q Gdo/(cm。3eV一1) G。/(cm一3eV一1)

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