模擬电子技术基础(第四版)习题解答.docxVIP

第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时，IC 从lmA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。 A.83 B.91 C.100 (4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。A.增大； B.不变； C.减小1.2电路如图P1.2 所示，已知(V)，试画出与的波形。设二极管导通电压可忽略不计。 图P1.2 解图P1.2 解：与的波形如解图Pl.2所示。1.3电路如图P1.3所示，已知(V)，二极管导通电压UD=0.7V。试画出与的波形图，并标出幅值。 图P1.3 解图P1.3 解：波形如解图Pl.3所示。1.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压UD=0.7V,常温下，电容C对交流信号可视为短路；为正弦波，有效值为10mV。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流 其动态电阻: 图P1.4故动态电流的有效值：1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问：(1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？(2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V；14V；6.7V；8.7V。 (2)并联相接可得2种：0.7V；6V。1.6 已知图Pl.6 所示电路中稳压管的稳定电压，最小稳定电流，最大稳定电流。(1)分别计算为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压的值；(2)若时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？解：(1)只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，输出电压才为6V。∴时，；图Pl.6时，；时，，∴。0.1(2)当负载开路时，，故稳压管将被烧毁。1.7 在图Pl.7 所示电路中，发光二极管导通电压UD =1.5V ，正向电流在5~15mA 时才能正常工作。试问：(1)开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？(2)R的取值范围是多少？解：(1)S闭合。 (2) R的范围为: 图P1.7 第2章 基本放大电路2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80, =1kΩ,,静态时,,。判断下列结论是否正确，在括号内打“√”和“×”表示。(1) (×) (2) (×) (3) (×) (4) (√) (5) (×) (6) (×) (7) (×) (8) (√) (9) (√) (10) (×) (11) (×) (12) (√)2.6电路如图P2.6所示，已知晶体管β=120，UBE=0.7V，饱和管压降UCES=0.5V。在下列情况下，用直流电压表测量晶体管的集电极电位，应分别为多少？ (1)正常情况；(2)Rb1短路；(3)Rb1开路；(4)Rb2开路；(5)Rb2短路；(6)RC短路； 图P2.6 图P2.7 解:(1),，∴。 (2) Rb1短路,,∴。 (3) Rb1开路,临界饱和基极电流，实际基极电流。由于,管子饱和,∴。(4) Rb2开路,无基极电流,。(5) Rb2短路，发射结将烧毁，可能为。 (6) RC短路, 。2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，。分别计算和时的Q点、、和。解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、均相等，它们分别为： 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为： ； ； 时，静态管压降、电压放大倍数分别为： 。2.9 已知图P2.9所示电路中，晶体管β=100，=1.4kΩ。(1)现已测得静态管压降UCEQ=6V，估算Rb；(2)若测得和的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少？解：(1)，, ∴。(2)由,可得: 。 图P2.92.12 电路如图P2.12所示，晶体管的β=80，=1kΩ。(1)求出Q点； (2)分别求出RL=∞和RL=3kΩ时电路的、和。解：(1)求解Q 点： (2)求解放大倍数和输入、输出电阻：RL=∞时； 图P2.12 RL=3kΩ时；输出电阻：第3章 多级放大电路3.3基本放大电路如图P3.3(a)、(b)所示，图(a)虚线框内为电路Ⅰ，图(b)虚线框内为电路Ⅱ。由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c)、(d)、(e)所示，它们均正常工作。试说明图(c)、(d)、(e