模擬电子技术基础A.docVIP

襄樊学院理工学院期末考试试卷 模拟电子技术基础A卷 考试范围 第一至第十章 命题人 院系 物电学院 考试形式 闭卷 课程类别 必修 学 期 20111 专业 电子 大题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 班级 满 分 25 15 15 45 学号 得 分 姓名 阅卷人 总分 得分 评卷人 选择题（从下列4个备选答案中选出一个正确答案，并将其代号写在题干后面的括号中，答案选错，该题不得分。每小题2.5分，共25分。） 1.温度升高时，晶体二极管的Is将( A ) A.增大 B.减小 C.不变 D.近似不变 2.PN结反向工作时，流过的电流主要是( B ) A.扩散电流 B.漂移电流 C.传导电流 D.扩散与漂移电流并存 3.已知某晶体管的α=0.99，则该管的β值是( D ) A.100 B.101 C.98 D.99 4.如改变三极管基极电压的极性，使发射结由正偏导通变为反偏，则集电极电流( B ) A.反向 B.中断 C.增大 D.不变 5.共射基本放大电路中，若测得晶体管的VCQ≈VCC，则可以判别晶体管工作在( C ) A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 D.击穿状态 6.差分放大器中用电流源代替Re是为了( C ) A.提高差模放大倍数 B.提高共模放大倍数 C.提高共模抑制比 D.提高差模输入电阻 7.所谓放大器工作在闭环状态是指( B ) A.考虑信号源内阻 B.有反馈通路 C.接入负载 D.信号源短路 8.负反馈放大电路的环路增益是指( B ) A. B. C.1+ D. 9.如果PN结的反向电流急剧增加，称为( C ) A.反向导通 B.反向截止 C.反向击穿 D.反向饱和 10.工作在放大状态的某PNP晶体管、各电极电位之间应满足的关系为( A ) A.VCVBVE B.VCVBVE C.VCVEVB D.VCVEVB 得分 评卷人 二、填空题（每空1.5分，共15分。） 1.PN结的反向击穿有雪崩和__齐纳______两种击穿。 2.杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由____本征激发____产生的。 3.衡量双极型三极管放大能力的参数是__β______。 4.已知某晶体三极管的fT和β，则fβ=fT/_β_______。 5. 集成运放的输入级多采用 对称结构差动放大 电路。 6、某放大电路负载开路时，UO=6V，接上3KΩ负载后，UO=4V，说明该放大电路的输出电阻R0= 1.5 KΩ 。 7稳压管在稳压过程中工作在 反向击穿 区。 8.放大电路的失真按失真机理分为线性失真和_非线性_______失真两大类。 9.若引入反馈使放大器的增益_减少_______，这样的反馈称为负反馈。 10.放大电路中，为稳定静态工作点，应引入__直流负______反馈。 得分 评卷人 三、简答题（每小题7.5分，共15分。） 1、正弦波振荡器的组成部分及其各部分的作用。 图1中，反馈元件R7构成级间负反馈，判断其反馈组态，并说明该负反馈对放大电路放大倍数和输入输出电阻的影响。 串联电压负反馈 输入电阻增大 输出电阻减少 图1 得分 评卷人 四、计算题(要求写出主要计算步骤及结果，共45分。) 1、图2中，已知三极管的参数，，，，均已知，电源电压为VCC，求解以下几个问题。（15分） （1）计算静态工件点Q； 画出微变等效电路图； （3）试计算、、； 图2 2、根据图3所示电路，推导出电路的传输特性，并说明运算电路的名称和特点。（10分） 图3 3、在图示4电路中，设R1 = RF =10KΩ，R2=20KΩ，R’= 4KΩ，两个输入电压Ui1和Ui2的波形如图7所示，试写出Uo的表达式，并在对应的坐标上画出输出电压Uo的波形，且标上相应电压数值。（10分） 图4 4