优·固体与半导体物理(第五、六章).pptVIP

讨论： （1）间接复合率大于直接复合率 非子的直接复合率 n型 （2）热平衡 A:非子的复合率 热平衡时，无非子 B:载流子的净复合率 热平衡时，产生率＝复合率 非子的间接复合率 （3） 存在净复合 非子的复合过程 （4） 存在净产生 非子的产生过程 从非平衡态向平衡态过渡过程 3.非子的寿命 （1）最有效的复合中心位于禁带中线附近的深能级 （2）小注入 A:强n型区 第五章 半导体的导电性 载流子的散射、漂移 迁移率、电导率的公式 {5.1 载流子的散射 一.散射机理 周期势场遭到破坏 1.原子的热振动 2.杂质原子和缺陷的存在 二.平均自由时间 和散射几率 的关系 在t时刻尚未遭到散射的电子数 被散射的电子数 未被散射的电子数 代入 被散射的电子数自由时间的总和 个载流子的所有自由时间的总和 被散射的电子数 三.散射机构 1.电离杂质散射 （1）弹性散射，散射过程中不交换能量 （2）散射中心固定 正电中心对电子吸引和 对空穴排斥引起的散射 负电中心对空穴吸引和 对电子排斥引起的散射 2.晶格振动散射 （1）长波在散射中起主要作用 （2）纵波在散射中起主要作用 起主要散射作用的是波长为几十或上百个原子间距以上的长波 纵波引起原子的疏密变