《CMOS图像传感器与CCD的比较.docVIP

摘要： 上世纪60年代末期，美国贝尔实验室提出固态成像器件概念，CMOS图像传感器全称互补金属氧化物半导体图像传感器（CMOS—Complementary Metal Oxide Semiconductor），CCD全称电荷耦合器件图像传感器（ CCD—Charge-couple Device）。二者的研究几乎是同时起步的，固体图像传感器得到了迅速发展。CMOS图像传感器由于受当时工艺水平的限制，图像质量差、分辨率低、噪声降不下来和光照灵敏度不够，因而没有得到重视和发展。CCD图像传感器因其光照灵敏度高、噪音低、像素少等优点，一直主宰着图像传感器市场。CMOS和CCD图像传感器都利用了硅的光电效应原理，不同点在于像素光生电荷的读出方式。CMOS和CCD的主要区别是CCD是集成在半导体单晶材料上，而CMOS是集成在被称做金属氧化物的半导体材料上。本文将详细介绍CMOS图像传感器与CCD至今的比较。 图1 1 CMOS和CCD图像传感器基本原理介绍 1.1 CMOS图像传感器工作原理介绍 图2所示为CMOS图像传感器工作原理框图。光子转换为电子后直接在每个像元中完成电子电荷F电压转换#这种信号转换与读出技术的不同对两种图像传感器的结构、性能及其性能的限制产生明显的影响，相机的大部分功能集成在图像传感器芯片上，这使传感器的功能应用弹性较小，但由于集成度高、结构紧密CMOS相机