电力电子技术---王旭光---第一章选编.pptVIP

电力电子技术 POWER ELETRONICS 0.3电力电子技术的主要内容 早期的单向导电器件 晶闸管的外形和电路符号 晶闸管可以等效成2个三极管 晶闸管的阳极特性曲线 1.3 全控器件 1.5.4 场控器件的驱动电路 场控型（电压控制型）电力电子器件的驱动电路。由于栅极和源极之间是绝缘的，所以在器件导通和关断的稳定状态都不可能出现栅极电流，需要的仅是一个栅极电压。但是器件的各电极之间都存在着电容，从驱动的输入端看相当于一个电容网络，因此驱动电压的变化将产生电容充放电电流，充放电时间常数影响栅极电压变化的速率，进而影响器件的开关速度。时间常数越大，充放电时间就越长。为了减小时间常数，要求驱动回路的电阻尽可能小。初学者容易忽视的一个问题是，欲使场控器件关断必须为栅-源之间提供放电通路或在栅-源之间加反向电压，不能简单地撤掉栅源之间的正向驱动电压而使栅-源之间开路。 对驱动电路的要求 1.5.4 场控器件的驱动电路 图为单管驱动电路，图中uS为驱动信号源，uS为正时晶体管VT导通，其发射极电流为被驱动的MOSFET的输入电容充电，使栅极电位迅速上升，MOSFET开通。uS为0时VT截止，MOSFET栅-源之间储存的电荷经VD、信号源放电，使MOSFET关断。 图为推挽式驱动电路，当uS为正时晶体管VT1导通VT2截止，VT1发射极电流为被驱动的MOSFET的输入电容充电，MOSFET开通。uS为零时晶体管VT2导通VT1截止，MOSFET的输入电容储存的电荷通过VT2迅速释放，使器件关断。 1.5.4 场控器件的驱动电路 图为一种简单的磁耦合驱动电路。晶体管VT导通时脉冲变压器的初级线圈中电流上升，使得次级感应出上正下负的电压，该电压通过二极管VD1为MOSFET的输入电容充电，使MOSFET导通。VT关断时脉冲变压器初级的电流下降，次级线圈中感应出上负下正的电压，使MOSFET的输入电容反向充电，栅-源之间的电压由正变负，MOSFET关断。 VD2为续流二极管，为晶体管关断后线圈中的电流提供通路，该二极管的导通压降很小，会使线圈电流经较长的时间才能衰减到零，为加快电流的衰减速度，可在续流回路中串联一个大小适当的电阻或一定数值的稳压管。 1.3.1可关断晶闸管GTO——主要参数 可以通过门极进行关断的最大阳极电流，当阳极电流超过IAT0时，门极则无力通过IG将GTO关断。 GTO的主要参数 断态重复峰值电压UDRM和反向重复峰值电压URRM以及通态平均电压UT的定义与普通型晶闸管相同，不过GTO承受反向电压的能力较小，一般URRM明显小于UDRM。擎住电流IL和维持电流IH的定义也与普通型晶闸管相同，但对于同样电流容量的器件，GTO的IH要比普通型晶闸管大得多。GTO还有一些特殊参数如下。 1 可关断最大阳极电流IAT0 1.3.1可关断晶闸管GTO——主要参数 IAT0与IGRM的比值，βOFF=IAT0/IGRM。这一比值比较小，一般为5左右，这就是说，要想关断GTO，所要求的门极负电流的幅度也是很大的。如βOFF=5，GTO的阳极电流为1000A，那么要想关断它必须在门极加200A的反向电流。可以看出，尽管GTO可以通过门极反向电流进行可控关断，但其技术实现并不容易。 为关断GTO门极可以施加的最大反向电流 门极最大负脉冲电流IGRM 2 电流关断增益βOFF 3 1.3.2功率晶体管GTR——外形与电路符号 电路符号 外形 功率晶体管的结构与一般小功率晶体管相似，内有两个P-N结，引出三个电极：发射极、基极、集电极。并且也分为PNP和NPN两大类。 1.3.2功率晶体管GTR——开关过程 关断过程 从开始施加反向基极电流到集电极电流开始下降（下降到90%ICO）对应的时间叫做存储时间ts。接着是下降时间tf，定义为集电极电流从90%ICO下降到10%ICO对应的时间。关断时间toff=ts+tf。 开通过程 GTR工作在开关状态，在饱和区和截止区之间相互切换。在刚开始施加基极电流的一段时间内，集电极电流变化很小，定义从基极电流的出现到集电极电流上升至稳定值ICO的10%这段时间为延迟时间td，然后集电极电流迅速上升，集电极电流从10%ICO上升到90%ICO对应的时间叫做上升时间tr。开通时间ton=td+tr。 1.3.2功率晶体管GTR——极限参数 ICM：最大允许集电极电流，表示集电极最大允许通过的电流瞬时值。 PCM：一定管壳温度下集电极最大允许功耗，产品说明书的技术参数中PCM与管壳温度必须同时标出。 BUCB0，发射极开路时集电极与基极之间的击穿电压； BUCE0，基极开路时集电极与发射极之间的击穿电压； BUCER，发射极与基极之间用电阻连接时集电极与发射极之间的击穿电压； B