电子科大薄膜物理(赵晓辉)第六章薄膜生长选编.pptVIP

* * 6.5.1 薄膜结构种类 1. 非晶薄膜 近程有序，远程无序 低温沉积容易实现 在常温下稳定 具有无规网状结构或随机密堆结构 XRD为漫反射峰 电子衍射为弥散光环 * 6.5 薄膜的结构 2. 多晶薄膜 由尺寸不等的晶粒组成 晶粒之间不具有固定取向关系 不同晶粒之间有晶界 晶界处原子能量较高，排列不规则 杂质原子易沿晶界扩散 多晶XRD衍射图谱与粉末衍射类似 * 3. 织构薄膜 晶粒之间有固定取向关系 有单轴和双轴取向 不同晶粒之间有晶界 晶界处原子能量较高，排列不规则 杂质原子易沿晶界扩散 * 4. 外延薄膜 晶粒之间有严格的取向关系 不同晶粒之间可能有晶界 晶界处原子排列比较规则 要求薄膜材料晶格与基体相配 * 6.5.2 外延生长 ? 1.? 简介 ???(epi – 放在…上) ?????(有序排列) - 扩展： 在单晶基板上生长的单晶薄膜 - 同质外延 : 薄膜和基板材料相同。 无缺陷 比基板纯度更高 薄膜层可不受基板影响，独立掺杂 * - 异质外延：薄膜与基板材料不同。 Si on Insulation (SOI) : 3-D IC 选择性取向生长 层状生长 多层异质结化合物：超晶格，量子阱 GaAs/AlGaAs InGaAs/GaAs dislocation * * 2. 外延薄膜的结构 单晶表面 某一方向上的周期性缺失会导致表面电学性能的改变，生成悬键从而增加化学反应活性。 * 弛豫 重构 重构Si(III) ? Si(III)-7?7 STM LEED, RHEED * STM image of Si(111)-7?7 Courtesy of J.Ha, ETRI 表面晶体结构 3D : 14 布拉维格子 2D : 5 布拉维格子 * 外延薄膜中的晶格失配和缺陷 : a0 : 无应力时的晶格常数 f0 ? 薄膜受到拉伸（张应力） f0 ? 薄膜受到压缩（压应力） * 晶格失配度（f）是表征外延生长的重要参数 在 Fe-GaAs 系统中，[001]方向晶格失配度为 1.38 % 压应力 准外延生长（ 9 % ）: 非常薄的薄膜产生弹性应变，从而拥有和基板相同的原子间距。? 相容性 * 临界层厚度: dc 随薄膜厚度增长，总弹性应变能增加并超过晶格失配的能量。 超过dc, 就会产生位错 位错位于与界面平行的平面中 刃位错是由于插入一排原子而产生 螺旋位错是切开并剪切晶格产生。 * 位错的产生 * 外延薄膜中缺陷的来源 * * * VCSEL(Vertical-Cavity Surface –Emitting Lasers) * 6.5.3 薄膜中的缺陷 * * 第六章 薄膜的生长过程 内容 * 成核与生长 * 薄膜生长基本过程 1. physisorption/原子/分子的物理吸附 2. surface diffusion/表面扩散 3. chemisorption/分子-分子、分子-基片化学键合 4. nucleation/成核: 单个原子、分子聚集 5. 微结构形成 (无定形-多晶-单晶，缺陷，粗糙度等等 6. 薄膜体内变化, 例如扩散，晶粒长大等等。 * 薄膜生长模式 * Particle creation/粒子形成: 已经掌握，对于PVD易于控制 Particle transport/粒子输运:已经掌握，可以分析和控制 Nucleation growth/结晶和生长: - 理论上理解(传统理论, 模拟) - 无直接的实验验证 (? 无法控制) - 实验结果表明 ‘reality is more complicated than theory predicted‘ ‘实际参数’: - 粒子能量 - 材料流量密度和化学计量 - 氧分压 - 薄膜温度 - …… 实验参数: - 气压 - 气体混合物 - 基板温度 - 阴极电势 /激光能量 / 加热器温度 外形 ……. * 低温下薄膜生长过程 * 高温下YBCO薄膜生长过程 * 6.2 粒子的吸附与扩散 化学吸附与物理吸附 * 表面扩散 对薄膜形成至关重要 被吸附物形成团簇（均匀成核） 被吸附物找到非均匀成核位置（台阶等） 吸附的原子迁入由基板或薄膜表面原子形成的势能“地图”中: diffusion, hopping * 扩散距离 Es Ed, Ec: 仅为部分键断裂 分子跳跃几率: (n0s 1013...1016Hz: 跳跃频率) 扩散：random walk, 无定向，前后跳跃可能性一样。 扩散距离, L= (r: 跳跃距离的均方根变化, N0: 跳跃次数, a: 晶格常数,