第二章计算机组成原理——2.3.ppt

* * * * 参考阅读材料2.4 * 参考阅读材料2.4 * * * * * * * * * * * * * * * * * 参考阅读材料2.3中的介绍 * 参考阅读材料2.3中的介绍 * * * CMOS 在启动BIOS过程中，若按下Del键（或其他键），就进入CMOS 设置程序，允许用户修改系统硬件的部分配置信息。 一般来说，下列情况需要启动CMOS设置程序对系统进行设置： PC机组装好之后第一次加电 系统增加、减少或更换硬件或I/O设备 CMOS芯片因掉电、病毒侵害、放电等原因造成其内容丢失或 被错误修改 用户希望更改或设置系统的口令 系统因某种需要而调整某些设置参数 CMOS设置 CMOS设置 2.3.2 内存储器 内存储器 (使用半导体存储器芯片) Cache存储器 主存储器（RAM和ROM） 外存储器（软盘、硬盘、光盘） 后备存储器（磁带、光盘） 外存储器 寄存器 典型容量 40GB~200GB 256MB~1GB 10TB~100TB 1MB 1KB 典型存取时间 1ns 2ns 10ns 10ms 10s 存储器的层次结构 计算机中存储器的层次结构 分析：速度越快，成本较高。 为了获得好的性能/价格比，计算机中各种存储器组成一个层状的塔式结构，取长补短，协调工作。 工作过程： 1）CPU运行时，需要的操作数大部分来自寄存器 2）如需要从(向)存储器中取(存) 数据时，先访问cache，如在，取自 cache 3）如操作数不在cache，则访问RAM，如在RAM中，则取自RAM 4）如操作数不在RAM，则访问硬盘，操作数从硬盘中读出→RAM →cache 内存又称主存，分为ROM和RAM ROM（Read Only Memory，只读存储器） 非易失性（断电后，信息保留）。 不可在线改写内容的ROM - Mask ROM（掩膜ROM）、PROM ：不能改写； - EPROM ：用专用装置改写 Flash ROM（快擦除ROM、闪存） 用于BIOS，U盘，数码相机中。 RAM(Random Access Memory，随机存取存储器) 多采用MOS(金属氧化物半导体)型半导体集成 电路芯片制成。易失性（断电后，信息丢失） - DRAM：动态RAM。特点：电路简单，集成度高， 功耗低，成本低，速度较慢。用做一般主存； - SRAM：静态RAM。特点：电路较复杂，集成度 低，功耗较大，成本高，速度很快。用做cache。 主存储器(RAM)的功能与原理 主存是CPU可直接访问的存储器，用于存放供CPU处理的指令和数据 特点： 以字节为单位进行连续编址，每个存储单元为1个字节 存储容量：主存储器中所包含的存储单元的总数（单位：MB或GB） 存取时间：从CPU送出内存单元的地址码开始，到主存读出数据并送到CPU（或者是把CPU数据写入主存）所需要的时间（单位：ns，1 ns = 10-9 s） 0000 0000 0000 0001 存储单元（8位） ??? 地址寄存器 地址译码器 地址总线 读写控制电路 数据总线 控制总线Read/Write信号 内存 主存储器的结构与工作原理PC机主存储器的物理结构 主存储器由若干个内存条组成 内存条的组成： 把若干片DRAM芯片焊装在一小条印制电路板上制成 内存条必须插在主板上的内存条插槽中才能使用 DDR SDRAM 内存条 防误插缺口 CPU速度越来越高，必须提高相对较慢的DRAM芯片组成 的主存储器的存取速度： 改进存储器芯片的电路和工艺 改进DRAM的存储控制技术，生产出许多新品种: EDO DRAM、SDRAM （单速率同步DRAM）、 双通道RDRAM DDR SDRAM （双倍速率同步DRAM） DDR2 SDRAM （DDR2拥有两倍于DDR的预读取数据的能力） DDR3 SDRAM 目前流行的是DDR2和DDR3内存条： 均采用双列直插式，其触点分布在内存条的两面 DDR2 和DDR3均有240个引脚，但不可互换使用 PC机主板中一般都配备有2个或4个DIMM插槽 Rambus内存条模块，简称RIMM内存条,高频率 DDR存储器的类型、速率及相关参数 时钟频率=100MHz 内部频率=200MHz 传输频率=400MHz 存储单元 阵列 数据总线 时钟频率=100MHz 内部频率=100MHz 传输频率=200MHz 存储单元 阵列 数据总线 缓冲器 缓冲器 DDR DDR2 DDR存储器的类型