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题型 第一章 晶体结构 四、电导和霍耳效应 迁移率 晶格散射、杂质散射与温度的关系 霍耳效应的原理、实验设置及应用 五、非平衡载流子 多子、少子 非平衡载流子的行为 六、PN结 PN结的能带结构和伏安特性 载流子的行为:正向注入和反向抽取 光生伏特效应 常用公式: 三维 二维 一维 (三维) 本章要求 自由电子模型,自由电子能量和波函数 自由电子的能态密度(一维、二维、三维) T=0时电子的分布,费米能、费米面、费米温度、费米半径、费米速度等概念 Sommerfeld展开式及其应用(求EF和Ce等) 热电子发射和接触电势 金属的导电率、Wiedemann-Franz定律、Hall效应 自由电子论的成功与局限性 基本公式和基本物理量的数量级(n、EF0 、TF和W等) 一、直接带隙半导体和间接带隙半导体 能带结构、光吸收特点(能量守恒、准动量守恒) 二、杂质半导体 掺杂类型(N、P)、施主、受主 能带结构特点及杂质能级位置 类氢杂质能级 三、载流子的费米统计分布 电子和空穴的统计分布规律 有效能级密度 第八章 半导体电子论 七、金属-绝缘体-半导体系统 MIS和MOS结构 积累层、耗尽层以及反型层的形成条件 八、异质结 异质结的能带结构 注入比 窗口效应 五、紧束缚近似(微扰计算不要求) 1. 紧束缚模型 2. 结果: 3. 适用范围:原子的内层电子所形成的能带;过渡金属的d电子能带;绝缘体、化合物和某些半导体的价带。 ( =近邻格矢)为近邻原子间电子波函数的重叠积分,其大小决定所形成能带的宽度 六、En(k)函数的三种布里渊区图象 七、电子能带的对称性 简约布里渊区图象 扩展布里渊区图象 周期布里渊区图象 对同一能带: 九、能态密度与费米面 1. 能态密度: 八、简约区中自由电子能带的表示法 自由电子能量: 对于二维、三维晶体,通常都是沿某对称轴方向求出En(k)函数的表达式,画出En(k)-k的曲线,给出相应的简并度。 N(E) E 近自由电子的能态密度 紧束缚近似的能态密度 (简单立方的s带) E N(E) 在能带底和能带顶,电子的能态密度为零,而在能带中的某处能态密度达到最大。 若电子的能量函数E(k)已知,即可根据上式求出其能态密度。对于等能面为椭球面的情况,可先求出在能量为E的椭球中的能态总数Z(E): 能态密度: 2. 费米面 概念:费米面、费米球半径、费米速度、费米动量、费米能、费米温度 X 射线发射谱确定价电子能带能态密度状况的原理和方法 常用公式: Bloch函数: 布里渊区边界处近自由电子的能量突变 紧束缚近似: 自由电子能量: 能态密度: 价电子总数: (三维) ?E=2?Vn? 能带论的基本假设和周期场模型; Bloch定理和Bloch函数的物理含义; 近自由电子模型、主要结果及适用的对象,给定简单的周期场,求出近自由电子相应的能隙; 紧束缚近似的模型、主要结果(波函数和能量本征值)及适用的对象,会利用紧束缚近似的结果求出简单晶体s态电子的能带表达式E(k)及能带的宽度; 电子能带的对称性及其来源; 本章要求 能态密度的一般表达式,给定E(k)函数,求出相应的能态密度; 给定晶体结构和电子浓度(即平均每个原子贡献的价电子数),求相应自由电子的费米半径kF,画出相应的近自由电子在简约区中费米面图象; 一、准经典运动 1. 波包的概念 2. 准经典运动的基本方程 3. 电子的加速度 第六章 晶体中电子在恒定电场磁场中的运动 4. 有效质量概念 倒有效质量张量 在一般情况下,电子的加速度与所受的外场力的方向并不一致。 倒有效质量是对称张量,存在主轴方向,沿张量的主轴方向,有效质量可对角化; 有效质量中包含了周期场对电子的影响; 在一般情况下,有效质量是二阶张量,特殊情况下也可退化为标量; 有效质量可大于电子的真实质量,也可小于电子的真实质量,还可以为负值; 在能带底电子能量E(k)取极小值,所以m* 0;在能带顶E(k)取极大值,所以m* 0。 空穴是一种带正电荷e ,具有正的有效质量?m*?的准粒子 空穴反映的是近满带中所有电子的集体行为,它不能脱离晶体而单独存在,只是一种准粒子 电子导电性:导带底有一些电子所产生的导电性空穴导电性:价带顶缺少一些电子所产生的导电性 金属中的载流子既可以是电子也可以是空
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