通信项行业标准名称及主要内容.doc-国家数字音视频及多媒体产品.docVIP

附件2: 78项电子、通信行业标准名称及主要内容 序号 标准编号 标准名称 标准主要内容 代替标准 采标情况 电子行业 SJ/T 11484-2014 掺铝氧化锌型透明导电氧化物玻璃 本标准规定了掺铝氧化锌型透明导电氧化物玻璃的术语、定义、材料、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、贮存和运输。 SJ/T 11485-2014 LED型号命名规则 该标准是半导体发光二极管系列产品的基础标准之一，为新制定的标准，主要内容是规范LED 产品型号命名，分单色光LED 和白光LED两类分别进行型号命名，定义了型号命名规则中各部分的符号、定义、范围等。 SJ/T 2354-2014 ＰＩＮ、雪崩光电二极管测试方法 标准的主要内容包括PIN雪崩光电二极管的反向击穿电压暗电流等参数的术语和定义测试原理测试步骤测试条件。 SJ/T 2354.1～2354.14-1983 SJ/T 11486-2014 小功率LED芯片技术规范 本标准规定了小功率半导体发光二极管芯片（以下简称芯片）的技术要求、检验方法、检验规则和标志、包装、运输和储存。本标准适用于可见光芯片，紫外发射二极管芯片和红外发射二极管芯片可参照执行。 SJ/T 2214-2014 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法 标准的主要内容包括半导体光敏管的正向压降暗电流等参数的术语和定义测试原理测试步骤测试条件。 SJ/T 2214.1～2214.10-1982 SJ/T 2215-2014 半导体光电耦合器测试方法 标准的主要内容包括光电耦合器正向压降二极管）、正向电流（二极管）、反向电流（二极管）、反向击穿电压（二极管）等25个参数的术语和定义、测试原理、测试步骤、测试条件。 SJ/T 2215.1～2215.14-1982 SJ/T 2216-2014 硅光电二极管技术规范 本标准规定了硅光电二极管的光电特性和机械特性以及环境特性的技术要求、检验方法和检验规则等。 SJ/T 2216-1982 SJ/T 11487-2014 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 本标准规定了半绝缘半导体晶片电阻率的非接触式测量方法。 SJ/T 11488-2014 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法 本标准规定了半绝缘砷化镓单晶电阻率、霍尔系数和霍尔迁移率的测量方法。 SJ/T 11489-2014 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法 本标准规定了低位错密度磷化铟（InP）抛光片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法。 SJ/T 11490-2014 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法 本标准规定了低位错密度砷化镓（GaAs）抛光片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法。 SJ/T 11491-2014 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量 本标准规定了用短基线红外光谱法测定硅中间隙氧含量。 SJ/T 11492-2014 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分 本标准规定了采用光致发光测试系统对表面经过处理的磷镓砷（GaAs1-xPx）晶片组分进行测试的方法。 SJ/T 11493-2014 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法 本标准规定了用二次离子质谱法（SIMS）对硅衬底单晶体材料中氮总浓度的测试方法。 SJ/T 11494-2014 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法 本标准规定了硅单晶中硼、磷杂质的光致发光测试方法。 SJ/T 11495-2014 硅中间隙氧的转换因子指南 本标准规定了硅中间隙氧的转换因子指南 SJ/T 11496-2014 红外吸收法测量砷化镓中硼含量 本标准规定了在77K时，用红外吸收法来测定砷化镓（GaAs）中替位硼含量的方法。 SJ/T 11497-2014 砷化镓晶片热稳定性的试验方法 本标准规定了半绝缘砷化镓（GaAs）热稳定性的试验方法。 SJ/T 11498-2014 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法 本标准规定了用二次离子质谱法（SIMS）对重掺硅衬底单晶体中氧浓度总量的测试方法。 SJ/T 11499-2014 碳化硅单晶电学性能的测试方法 本标准规定了利用范德堡法测试6H、4H等晶型碳化硅单晶的导电类型、电阻率、迁移率、载流子浓度的方法。 SJ/T 11500-2014 碳化硅单晶晶向的测试方法 本标准规定了利用X射线衍射定向法测定6H、4H等晶型碳化硅单晶晶向的方法。 SJ/T 11501-2014 碳化硅单晶晶型的测试方法 本标准规定了利用拉曼光谱测定碳化硅单晶的结晶类型的方法。 SJ/T 11502-2014 碳化硅单晶抛光片规范 本