第12讲霍尔传感器分析.pptVIP

霍尔传感器 霍尔传感器的工作原理 霍尔元件的基本结构和主要技术指标 霍尔传感器举例 霍尔效应 物理现象观察 霍尔元件是一种四端元件 霍尔传感器 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应, 但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着半导体技术的发展, 开始用半导体材料制成霍尔元件, 由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。 + + + + + + + + + I UH B FL FE v 霍尔传感器的工作原理 霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果。当有B作用时，由于洛伦兹力的作用，电子向一边偏转，并使该边积累电子，而另一边则积累电荷，于是产生电场。该电场阻止运动电子的继续偏转。当电场作用在运动电子上的电场力与洛伦兹力相等时，电子积累便达到动态平衡。这时建立的电场称为霍尔电场。 定向运动的电子除受到洛仑兹力外，还受到霍尔电场的作用，当fl=fE时，达到平衡，此时 对于导体，霍尔系数一般较小，故霍耳元件一般用半导体制作，且愈小（薄），灵敏度愈高 fL fE v EH d I b B 霍尔系数，材料确定后为常数 灵敏度系数 1）霍尔电压UH与材料的性质有关 n 愈大，KH 愈小，霍尔灵敏度愈低； n 愈小，KH 愈大，但n太小，需施加极高的电压才能产生很小的电流。因此霍尔元件一般采用N型半导体材料 2）霍尔电压UH与元件的尺寸有关。 d 愈小，KH 愈大，霍尔灵敏度愈高，所以霍尔元件的厚度都比较薄，但d太小，会使元件的输入、输出电阻增加。 霍尔电压UH与控制电流及磁场强度成正比，当磁场改变方向时，也改变方向。 霍尔元件的结构 由霍尔片、四根引线和壳体组成，如下图示。 国产霍尔元件型号的命名方法 霍尔元件的主要特性参数 1.输入电阻Ri和输出电阻R0 Ri是指流过控制电流的电极（简称控制电极）间的电阻值，R0是指霍尔元件的霍尔电势输出电极（简称霍尔电极）间的电阻，单位为Ω。可以在无磁场即B＝0和室温（20 5）℃时，用欧姆表等测量。 2.额定控制电流IC和最大控制电流ICm 霍尔元件在空气中产生10℃的温升时所施加的控制电流称为额定控制电流IC。在相同的磁感应强度下，IC值较大则可获得较大的霍尔输出。 霍尔元件限制IC的主要因素是散热条件。 一般锗元件的最大允许温升ΔTm80℃，硅元件的ΔTm175℃。当霍尔元件的温升达到ΔTm时的IC就是最大控制电流ICm 。 3.不等位电势UM和不等位电阻RM 在额定控制电流 Ic 之下，不加磁B＝0时，霍尔电极间的空载霍尔电势UH≠0，称为不平衡(不等位)电势，单位为mV。一般要求霍尔元件的UH1mV，好的霍尔元件的UH可以小于0.1mV。 不等位电势和额定控制电流Ic之比为不等位电阻RM，即 不平衡电势UH是主要的零位误差。因为在工艺上难以保证霍尔元件两侧的电极焊接在同一等电位面上。如下图(a)所示。当控制电流I流过时，即使末加外磁场，A、B两电极此时仍存在电位差，此电位差被称为不等位电势（不平衡电势）UH。 4.寄生直流电势 当没有外加磁场，霍尔元件用交流控制电流时，霍尔电极的输出除了交流不等位电势外，还有一个直流电势，称寄生直流电势。 5.霍尔电势温度系数α 在一定的磁感应强度和控制电流下，温度变化1℃时，霍尔电势变化的百分率称为霍尔电势温度系数α，单位为1／℃。 霍尔元件的误差及补偿 1.不等位电势误差的补偿 不等位电势与霍尔电势具有相同的数量级，有时甚至超过霍尔电势。补偿图见书P146图5.2.5。 2.温度误差及其补偿 温度补偿电路 因为半导体材料的电阻率、迁移率和载流子浓度随温度变化，故霍尔元件的性能参数，如内阻、霍尔电动势等也将随温度变化。 由于霍尔元件的输出电压UH较小，可通过多个元件的串联或并联来提高输出。 霍尔元件的连接方式 多个霍尔元件串、并联输出 (a)霍尔元件串联输出；(b)霍尔元件并联输出 霍尔电势是关于I、B、? 三个变量的函数，即 EH=KHIBcos? 。利用这个关系可以使其中两个量不变，将第三个量作为变量，或者固定其中一个量，其余两个量都作为变量。这使得霍尔传感器有许多用途。 霍尔传感器的应用 S N 线性霍尔 磁铁 1、霍尔转速表 在被测转速的转轴上安装一个齿盘，也可选取机械系统中的一个齿轮，将线性型霍尔器件及磁路系统靠近齿盘。齿盘的转动使磁路的磁阻随气隙的改变而周期性地变化，霍尔器件输出的微小脉冲信号经隔直、放大、整形后可以确定被测物的转速。 霍尔转速表原理 当齿对准霍尔元件时，磁力线集中穿过霍尔元件，可产生较大的霍尔电动势，放大、