薄膜制备工艺研究现状
(大连理工大学机械工程学院 大连 116000)
摘要:对薄膜的应用现状、MEMS工艺中制备薄膜的常规方法及其研究成果作了综述,包括溶胶-凝胶法、物理气相沉积法及化学气相沉积法,评述了不同工艺的优缺点,展望了薄膜制备的发展趋势。
关键词:薄膜 溶胶-凝胶法 气相沉积
Research Status of Thin Film Making Technology
Abstract: The application status of thin films,conventional methods and researches of thin films preparation in MEMS process were reviewed.including Sol-gel method,vapor deposition,chemical vapor deposition. The advantages and disadvantages of different process were reviewed, The development trend of the preparation of thin film is prospected.?
Keywords: Thin film preparation Sol-gel method Vapor Deposition
0 前言
薄膜已经在各个领域得到广泛应用,微器件的加工,微加工工艺都可以分解成薄膜淀积,光刻和刻蚀这三个工艺步骤的一个或者多个循环,薄膜的制备在MEMS制造过程中具有重要意义。金属薄膜在机械学科、电子学、磁学和光学领域都有着重要的应用,如锆钛酸铅( PZT)薄膜具有较好的铁电、压电、热释电、声光等性能,在微执行器及微传感器领域得到广泛应用[1];透明导电膜作ITO和AZO被广泛应用于太阳能电池器件、液晶显示器、发光二极管中[2];SiC薄膜具有优越的耐腐蚀性能和良好的导热性能,常被作为一种高温半导体材料,用作保护涂层、薄膜发光二极管、以及非晶Si太阳能电池的窗口材料等[3]。
目前,功能性和结构性薄膜是热点问题,如YBaCuO、BiSrCaCuO等超导陶瓷薄膜、多晶或外延单晶金刚石薄膜、广泛应用于用于微电子学、光电子学和集成光学压电铁电薄膜Pb—TiO、压电薄膜ZnO、AlN等,TiC、TiN、TiCN膜和NiTi形状记忆合金膜等钛系化合物、SiC、硅系化合物薄膜和多层复合膜等[4]。因此对薄膜的制备工艺是热点研究问题,在MEMS工艺中,薄膜的制备方法包括溶胶-凝胶法、物理气相沉积法(PVD)和化学气相沉积法(CVD)。物理气相沉积法法只发生物理过程,对沉积材料和基片材料均没有限制,化学气相沉积法中包含了化学反应过程,广泛用于微电子和光电子技术中薄膜和器件的制作,常用的PVD制备薄膜的方法包括真空蒸镀、溅射镀膜、离子镀,而常规的CVD法主要有热化学气相沉积(TCVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体化学气相沉积(PCVD)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)。
1 方法介绍
1.1溶胶-凝胶法
溶胶-凝胶法,又称Sol-Gel法,可以用来制备高性能透明导电薄膜。此方法是在金属的有机溶液或无机盐溶液中,发生化合物的水解及聚合反应,得到的胶溶液中含有金属氧化物、氢氧化物微粒,再将胶溶液制备成溶胶,通过加热得到非晶或多晶材料[5] 。溶胶凝胶法制备薄膜的原则工艺流程图如图1.1所示。溶胶-凝胶法具有合成温度低,制备出的薄膜材料均匀性好,生产效率高,在电子材料行业领域收到了关注。
图.1溶胶
有机醇盐的成本较高,目前主要用无机盐溶液,来进行溶胶—凝胶法来制透明导电薄膜,例如采用含有铀和锡的硝酸盐、氯化物和硫酸盐的溶液制取ITO薄膜。丫.jDaoued[6]报道了将硝酸锢和氯化锡同时加入乙醇中制备溶胶,但由于硝酸锢在乙醇中溶解度偏低,从而使得溶胶中锢离子含量降低,提拉后薄膜的电导率较低。在应用无机盐溶液时,可以先通过热分解制成粒子胶体,然后制成膜,也可先制成膜再进行热分解。由于无机盐的水解反应,其聚合性没有有机醇盐好,需要在溶胶中加入成膜剂,这对膜成分会造成影响,在实际生产中,成膜剂的选择是需要考虑的重要因素。无机盐制成的膜缺点是附着力较差,在基体表面上不稳定,并且无机盐的热分解反应会产生氮氧化物和硫氧化物等环境污染,这是需要注意的。
1.2 物理气象沉积法
1.2.1溅射法
溅射法是指惰性气体在某种诱导(反应直流磁控诱导、无线电频率磁控诱导和等离子诱导等)作用下电离成等离子体,等离子体经过加速后轰击溅射靶材,使溅射靶材产生射原子,在基底材料表面形成薄膜的方法。1852 年英国物理学家格洛夫首次发现并提出溅射这一物理现象,
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